气相反应装置

主权项

1.一种气相反应装置,此种使单结晶气相成长的反应装置中,系由对水平成倾斜配置之板状容纳板、配设在容纳体晶片载置面背侧之高频感应线圈,藉高频感应线圈使容体上晶片加热之一手段、及对着晶片表面配置之一反应气体吹出手段所构成者。2.如请求专利部份第1项所述之气相反应装置,其中上述反应气体吹出手段之吹出角度系可自由旋转者。