| 主权项 |
1.一光学装置,包含:第一个装置,包含一第一个表面.在该表面上可吸收电磁幅射入射,此吸收可藉供应一跨于该第一个装置之电压及或经由在该供应电压中的改变而可改变:和第二个装置,用以产生一电压跨于该第一个装置上,该电压可因对于入射到并被该第二个装置所吸收的电磁幅射的响应而改变,其特征在于该第一个装置更进一步的包含一个量子井区域,并且该第二个装置包含至少一値与该第一个装置整合的第一个成分和至少一个覆盖于该第一个表面一部分但少于全部的第二个成分。2.一依请求专利部分第1项所述之光学装置,其中该第二个装置包含一光电晶体。3.一光学装置,包含:第一个装置,能吸收入射的电磁幅射,此吸收可藉着供应一电压于该第一个装置上及或经由在该供应电压中的改变而改变;第二个装置,用以产生一电压于该第一个装置之上,该产生的电压为可对于入射于该第二个装置上或被该第二个装置吸收的电磁幅射响应而改变,其特征在于该第一个装置更进一步的包含一个量子井区域,并且该第二个装置包含一个光电晶体.该光电晶体的一个电流增益大于在该装设中固有的寄生电晶体的电流增益。4.依请求专利部分第3.项所述之光学装置.其中该光电晶体和寄生电晶体每一个包含一封极,一基极和集极.该寄生电晶体的基极的一个能带隙会大于该光电晶体的基极的一个能带隙5.一依请求专利部分第4顶所述之光学装置.其中该光电晶体的射极.基极和集极个别包含有.镓铝神化合物.镓神化合物和鍚神化合物.而让寄生电晶体的射极,基极和集极个别为镓神化合物,镓铝神化合物和钱铝神化合物。6.一光学装置,包含:第一个装置,可吸收入射的电磁幅射,此吸收可藉着供应一电压跨于该第一个装置之上而改变;和第二个装置,用以产生一电压跨于该第一个装置上,该产生的电压为可对于入射到该第二个装置并由该第二个装置所吸收的电磁幅射响应而改变.其特征在于该第一个装置包含一个量子井区域,并且该第二个装置包含第一个和第二个光电晶体。7.一依请请求专利部分第6项所述之光学装置,其中每一该光电晶体的电流增益大于在该装置中研固有的一个寄生电晶体的电流增益。 |
