| 主权项 |
1.由各具有一射极面积eo之两电晶体组成之互导放大器,其基极构成为输入以接受输入电压,其各射极系连接至一电流源,且进一步至少包括供输出电流之第一输出,其特征为:一具有电阻値Wk(其中K=O,....N)之2N+1个阻抗R0′...′RN-1′RN′RN-1′...′R0之串联装置,配置于两电晶体之基极之间,以及这些2N+1个电阻器之间的2N个接合点a1′...an′an′...′a1系连接至2N个电晶体T1′...′TN′TN′...T1之各基极上,其射极面积为eK,其中k=1,...,N.2.根据上述请求专利部份第1.项中所述之互导放大器,其特点为电晶体T1′...TN′TN′...T1等系连接至一电源端上,又一特点为各电晶体T0之各集极构成为此互导放大器之各输出。3.根据上述请求专利部份第2.项中所述之互导放大器,其特点为电阻器RN之电阻値WN为零时,两接合点为aN系为公用而构成一单一接合点aN。4.根据上述请求专利部份第1.项中所述之互导放大器,其特点为电晶体T1′...′TN′TN′...T1等各包括两并联电晶体,一电晶体之集极连接至一电晶体T0,而另一电晶体之集点连接至另一电晶体T0;又一特点为电晶体T0之一之集极构成为互导放大器之第一输出。5.根据上述请求专利部份第4.项中所述之互导放大器,其特点为其他电晶体T0之集极构成为互导放大器之第二输出。6.根据上述请求专利部份第4.或5.项中所述之互导放大器,其特点为在电阻器RN之电阻値WN等于零时,两接合点aN为公用而形成一单一接合点,其又一特点为两电晶体TN并联连而形成一复合电晶体。7.根据上述请求专利部份第1.项中所述之互导放大器,其特点为电晶体T1′...′TN′TN′...T1等之集极皆连接至互导放大器之第一输出。8.根据上述请求专利部份第7.项中所述之互导放大器,其特点为电晶体T0之集极皆连接至互导放大器之第二输出上。9.根据上述请求专利部份第7.或8.项中所述之互导放大器,其特点为在电阻器RN之电阻値WN等于零时,两接合点系为公用而形成一单一接合点aN。10.根据上述请求专利部份第3.或6.项中所述之互导放大器,其特点为N=1时,电晶体T1和T0之射极面积间之比率大体等于e1:e0=2:1。11.根据上述请求专利部份第3.或6.项中所述之互导放大器,其特点为N=2时电晶体T2′T1′和T0之射极面积间之比率大体上等于e2:e1:e0=32:49:9,而电阻器R1和R0之电阻値间之比率大体上等于W1:W0=1,9:1。12.根据上述请求专利部份第3.或6.项中所述之互导放大器,其特点为在N=3时,电晶体T3′T2′T1和T0等射极面积间之比率大体等于e3:e2:e1:e0=5:9:6:1,而电阻器R2′R1和R0等电阻値间之比率大体上为W2:W1:W0=47:36:17。13.根据上述请求专利部份第2.项中所述之互导放大器,其特点为在N=1时电晶体T1和T0之射极面积间之比率大体为e1:e0=5:1,而电阻器R1和R0之电阻値之间之比率大体为W1:W0=8:5。14.根据上述请求专利部份第2.项中所述之互导放大器,其特点为在N=2时电晶体T2 T1和T0之射极面积间之比率大体为e0:e1:e0=25:17:3,而电阻器R2 R1和R0之电阻値间比率大体为W2:W1:W0=2:4:2:1。15.根据上述请求专利部份第9.项中所述之互导放大器,其特点为在N=1时电晶体T1和T0之射极面积间之比率大体为e0:e1=5:1。 |
