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Verfahren zur selbstjustierten Herstellung eines z.B. als Gatekontakt dienenden Kontaktes (81) mit einer Abmessung von z.B. 0,3 bis 0,1 µm, wobei Fotolithographie mit lediglich Lichtstrahlung durchzuführen ist. Trotz der geringen Abmessung läßt sich hier ein (Gate-)Kontakt mit sehr geringem Zuleitungswiderstand herstellen.
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