| 主权项 |
1.用于读取一反射的介质记录的资讯之一雷射头,其包含:半导体雷射装置,用以放射一讯源雷射光束;一绕射光栅,配置在该雷射装置与该介质之间,以产生离开该介质来自该雷射的一反射光束之绕射光束,该反射光束及该讯源光束沿着一单一光轴而排成一列,该绕射光束有一光轴与该光轴之该讯源光束及该光射光束,成倾斜关系;以及光电探测器装置,用以探测该绕射光束,该光电探测器装置放于适当位置,以截取该绕射光束。2.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中绕射光栅包含一全像透镜。3.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中该全像透镜包括实质上明显之沟槽。4.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中该光电探测器装置垂直于该讯源光束光轴,且实质上是与雷射装置于相同平面上。5.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其更包含放在适当位置之一透镜,以产生介于该雷射装置及该绕射光栅之间于一焦点该讯源雷射光束之焦聚,该光电探测器装置,垂直于该讯源光束光轴,且实质上是与该焦点于相同平面上。6.依据请求专利部份第5.项所述之雷射头,其中该光电探测器装置包含至少两个半导体光电探测器,位在该雷射光束之相对侧,该光电探测器装置排列于容许该雷射光束之通行穿过它的中心。7.依据请求专利部份第6.项所述之雷射头,其中该光电探测器装置界定一孔穿过它的中心,以作为该雷射光束之通路。8.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中该介质是一热磁介质,且更包含一极化器位于来自该雷射装置该光电探测器装置之一相对侧。9.依据请求专利部份第8.项所述之雷射头,其中该极化器包含少于该雷射光束之波长介于线间有一间隔之一绕射光栅。10.依据请求专利部份第9.项所述之雷射头,其中该极化器绕射光绕是一全像光栅。11.依据请求专利部份第10.项所述之雷射头,其中该全像光栅极化器包括实质上明显之构槽。12.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中该光电探测器装置包含位于该半导体雷射装置之相对侧之第一及第二光电探测器,且更包含分别位于第一及第二光电探测器之间之第一及第一极化器对于该雷射光束之极化呈约+45之一角度朝东方向,以及该第二极化器对于该雷射光束之极化呈约-45之一角度朝东方向。13.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其更包含位于来自该雷射装置该光电探测器之一相对侧之一准直透镜。14.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其更包含一接物透镜,位于来自该雷射装置该光电探测器之一相对侧,用以聚焦该雷射光束于该介质。15.依据请求专利部份第14.项所述之雷射头,其中该接物透镜仅沿着该光轴之该讯源光束而移动。16.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中该光电探测器装置包含四个独立地易读光电探测器。17.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中该绕射光栅之线使其成形,以便聚焦于一不同平面该绕射光束垂直包含该雷射装置一平面之该讯号光轴。18.依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中于该光栅设有多数个线,以产生来自该绕射光束一像散影像。19.依据请求专利部份第18.项所述之雷射头,其中该光电探测器装置包含四个独立地易读光电探测器,该等光电探测器之每一个配置在一各别的象限。20.依据请求专利部份第20.项所述之雷射头,其中于该光栅线之一间隔,是该光栅一第一边之一第一値及该光栅一第二边之一第二値,以便第一及第二绕射光束有不同角度的绕私,分别为第一及第二边所产生。21.依据请求专利部份第20.项所述之雷射头,其中该光电探测器装置包含四个实质上平独立地易读光电探测器。22. 依据请求专利部份第1.项所述之雷射头,其中该接物透镜及该绕射光栅沿着一单一轴调准之,该雷射装置对于该轴调准在一角度,且更包含一反射镜,从该雷射装置反射该雷射光束至该接物透镜,以及从该绕射光栅反射该绕射光束至该光电探测器装置。23.记录于一热磁介质用以读取及写入之一雷射头,其包含有:半导体雷射装置,用以放射一讯源雷射光束;一全像透镜,位于该雷射装置与该介质之间,用以产生离开该介质该讯源雷射光束之一反射光束之第一及第二绕射光束,该反射光束及该讯源光束沿着一单一光轴而调准之,对于该讯源光束及反射光束光轴来说,该绕射光束与光轴成倾斜关系;一对光电探测器装置,用以截取该绕射光束;以及一极化器直接位于该光电探测器与该全像透镜间邻近该光电探测器,该极化器是一全像透镜与一线间隔少于该雷射光束之一波长,一第一组线所定之位置可用以截取该第一绕射光束,其与一第二组线所定之位置可用以截取该第二绕射光束呈正交。24.记录于一反射的介质用以读取资讯之一雷射头,包含有:一半导体雷射二极体,以放射一讯源雷射光束;一全像透镜,配置于该雷射二极体与该接物透镜间,以产生离间该介质来自该雷射光束反射光束之绕射光束,该反射光束及该讯源光束沿着一单一光轴而排成一列,该绕射光束有一光轴,对于该光轴之该讯源光束及该反射光束成倾斜关系;该全像透镜设有多数条线,以产生一像散影像及该绕射光束;以及四个光电探测器,用以探测该绕射光束,该等光电探测器之每一个是位于各别的象限,该等光电探测器及该半导体雷射二极体,安置于一通常之热槽。25. 记录于一热磁介质用以读取及写入资讯之一雷射头,其包含:半导体雷射装置,以放射一雷射光束;一第一透镜放于适当位置,以产产生一焦点该雷射光束之一焦聚;一全像透镜,位于来自该焦点该雷射装置之相对侧,以产生离开该介质来自该电射之一反射光束之第一及第二绕射光束,该绕射光束有光轴与一光轴之该反射光束成倾斜关系;一光电探测器装置,定位置于该焦点上,该装置包含一平面的基体,其定的位置垂直于该雷射光束,该基体界定一孔,使得该雷射光束可穿过,及一对半导体光电探测器安置该孔相对侧之该基体,且定于适当位置以分别截取该第一及第二绕射光束;以及一极化器,位于该全像透镜与该光电探测器装置间,该极化器是一全像透镜,有少于该雷射光束波长之一线间隔,设有一第一组线以截取该第一绕射光束,及一第二组线垂直于该第一组线,且定于适当位置以截取该第二绕射光束,该极化器之一中央位置没有线,以容许没有极化该雷射光束之通行。26.制造一极化全像透镜,为得一雷射及一第一波长1之一方法,其包含之步骤:产生有一第二波长2之一雷射光束;扩充该雷射光束以产生一扩充的准直透镜;分裂该扩充光束为两条光束;反射该两条光束于一记录的介质,以便该光束相交该表面之该介质在一角度,至一线垂直于该介质;以及选择该角度及波长2,可从该两条光束之干扰在该介质得到一光栅周期 d。此两条光束是少于该第一波长1,依照方程式d = 2/2sin。27.依据请求专利部份第26.项所述之方法,其更包括下列步骤:在该反射步骤之前,先罩住该介质之一第一部分;在该反射步骤之后,蚀刻该介质;从该介质该第一部分除去一光罩;罩住该介质之一第二部分;旋转该介质90;以及重复该反射及蚀刻步骤,以便形成该介质在该第一部分之一第一组线,垂直于该介质在该第二部分之一第二组线,以及该介质之一中心部分没有线。 |
