| 主权项 |
1.一种高性能双极电晶体结构,包含第一导电性型之一单晶矽本体;第二导电性型之一埋设之集极区,构设于该本体之一项主表面中;第二导电性型之一晶膜层,构设于本体之该顶主表面上;一深集极接触区,构制于晶膜层中,该区连接埋设之集极区至晶膜层之顶主表面;第一导电性型之一基极区,该区构设于晶膜层之顶主表面中,在埋设之集极区上面,并与深极极接触区相分开;及第二导电性型之一射集区,构设于基极区内,并延伸至晶膜层之顶主表面,其中,该基极区包含位于射集区下面之一本质基极区,及位置自该主表面伸出且邻接射极区之一外质基极区;其特点为该变极电晶体结构另包含一基极接触区,包含一绝缘层(22),位于晶膜层之顶主表面上,在埋设之集极区上方,并邻接基极区;第一导电性型之一重度掺杂之复矽层(24),位于绝缘层上面;一矽化物层(26),位于重度掺杂之复矽层上面,其中,矽化物层之电阻远小于复矽层之电阻;及一不掺杂之复矽区(36),形成与绝缘,复矽,及矽化物层相邻接之一垂直连接区,并延伸至外质基极区之顶主表面,该复矽区构成外质基极区及复矽及矽化物层间之垂直连接,其中,复矽及矽化物层之组合提供低外质基极电阻系数。2.根据请求专利部份第1.项所述之高性能双极电晶体结构,其中,基极接触区另包含一氮化矽层(28),位于矽化物层上面,俾突出于氧化物,复矽,及矽化物层上方,以使复矽垂直连接区纳进氮化矽悬空区下面。3.根据请求专利部份第2.项所述之高性能双极电晶体结构,其中,该电晶体另包含一氧化物区(40'),其设置在形成与垂直复矽区邻接之垂直侧壁,该氧化物区界定射极区之外疆界。4.根据请求专利部份第3.项所述之高性能双极电晶体结构,其中,该射极区使用离子植入于由该垂直氧化物区界定之疆界内制成。5.根据请求专利部份第3.项所述之高性能双极电晶体结构,其中,该氧化物层包含一低温氧化物材料。6.根据请求专利部份第1.项所述之高性能双极电晶体结构,其中,第一导电性型为p 型导电性,及第二导电性型为n 型导电性。 |
