| 主权项 |
1.图像接收和显示装置,包括一在员空外壳中具有一目标之阴极射线管,和至少一在工作状况中依照环状模式放射电于之阴极,以及一具有孔隙让阴极放射电子在阴极产生之电子束之交淮处通过之第一栅极,其特点为此装置包括至少一额外栅极,此栅极在让电子束于轴线兴放射表面成直角之处通过之孔隙内有一板,此轴线大体上与环状模式之轴线相一致,此板之方位大体上与该轴线相垂直。2.根据上述请求专利部份第1.项中所述之装置,其特点为此板至少利用一棒条与额外栅极相连接。3.根据上述请求专利部份第2.项中所述之装置,其特点为此棒条之宽度不超过100微米。4.根据上述请求专利部份第1.至3.项中任一项所述之装置,其特点为此板大体上为圆形,其直径较第一栅极内孔隙之直径为大。5.根据上述请求专利部份第4.项中所述之装置,其特点为此板之直径至少为50微米,不超过500微米。6.根据上述请求专利部份各项中任一项所述之装置,其特点为阴极包括一半导体本体,在其主要表面上至少具有一个电子放射区域。7.根据上述请求专利部份第6.项中所述之装置,其特点为,由投影来看,电子放射区域完全在第一栅极孔隙之外。8.根据上述请求专利部份第7.项中所述之装置,其特点为电子放射区域大体上呈环状,其内径较第一栅极中孔隙之直径为大。9.根据上述请求专利部份第7.项中所述之装置,其特点为半导体木体包括许多的电子放射区域,此等区域大体上均匀分布于一内径较第一栅极内孔隙之直径为大之环状模式上。10.根据上述请求专利部份第7﹒,8,或9.项中所述之装置,其特点为半导体本体包括至少一在主表面附近之n型区域与一P型区域之间的Pn接合,而在半导体本体内之Pn接合上施加一反方向电压时,由突崩倍增作用而产生电子放射,表面上设置一电绝缘层,其中至少设置一孔隙,而Pn接合主要是与孔隙内之主表面相平行,又在局部上具有一较Pn接合之其他部份为低之破坏电压,破坏电压较低的部份,系以一n型导电层( 其厚度和掺杂程度必须在到达破坏电压时,Pn接合之耗乏带不致伸展至表面,而仍保持以表面层与之相隔离,此表面层须够薄,能让所产生之电子通过)兴表面相隔离。11.根据上述请求专利部份第6.至10.项之任一项中所述之装置,其特点为绝缘层至少有一部份上须设置至少一电极. |
