压接触GTO-可控硅整流器

摘要

在采用直接压接件的GTO-可控硅整流器情况下，由于对半导体片(2)和压接件(1，3)的表面平整度、对压接件(1，3)的对中，以及对其边缘的安排提出了特殊的要求，从而制成了一个具有极好负荷变换稳定性，可实用的构件。

主权项

1、压接触GTO-可控硅整流器，包括 a)一个安装在阴极面同阳极面之间，具有各种不同掺杂层的半导体片(2)， b)所述半导体片(2)至少在阴极面处做成台面形，并具有由多个凸起的阴极凸台(7)的栅极-阴极结构，这些阴极凸台被深处的栅极区包围，以及 c)半导体片(2)在其阴极凸台(7)上总是复盖着一层金属化阴极层(6)，阳极面处总是复盖着一层金属化阳极层；并带有 d)一个阴极面的片形压接件和一个阳极面的片形压接件(1、3)，这些片形压接件被压在阴极层及阳极层上，以实现接触连接，其特征在于 e)压接件(1，3)与半导体片(2)的压力荷载接触面上的平面偏差小于±5微米，和 f)压接件(1，3)相互对准，以使它们中心轴之间的相互偏差小于500微米。