| 发明名称 | 直拉硅单晶的气相掺氮方法 | ||
| 摘要 | 一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，采用纯度为99.99％的氮气或者氩-氮混合气作为保护气氛实现气相掺氮，控制炉内气体压力为5～60托，最佳压力为15～25托，气体流量为1～6m<SUP>3</SUP>/hr，最佳流量为2～5m<SUP>3</SUP>/hr，制造氮含量为1×10<SUP>14</SUP>～4.5×10<SUP>15</SUP>/cm<SUP>3</SUP>的硅单晶，成品率不低于70％。 应用这种气相掺氮方法，保护气体的成本可降低40～50％，其硅片有良好的机械性能，在制作半导体器件工艺过程中，硅片的破碎率降低10～15％。 | ||
| 申请公布号 | CN87105811A | 申请公布日期 | 1988.02.24 |
| 申请号 | CN87105811 | 申请日期 | 1987.08.22 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 阙端麟;李立本;陈修治 |
| 分类号 | C30B27/02;C30B31/06 | 主分类号 | C30B27/02 |
| 代理机构 | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人 | 连寿金 |
| 主权项 | 1、一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，其特征在于采用氮气或者氩-氮混合气作为保护气体，炉内气体压力为5～60托，气体流量为1～6m3/hr。 | ||
| 地址 | 浙江省杭州市玉泉 | ||