| 摘要 |
노광 마스크수를 삭감함으로써 포토리소그래피 단계를 간략화하여, 산화물 반도체를 갖는 반도체장치를 저비용으로 생산성 좋게 제조하는 것을 과제의 한가지로 한다. 채널 에치 구조의 역스태거형 박막 트랜지스터를 갖는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 투과한 빛이 복수의 강도가 되는 노광 마스크인 다계조 마스크에 의해 형성된 마스크층을 사용해서 산화물 반도체막 및 도전막의 에칭단계를 행한다. 에칭단계에 있어서, 제1 에칭단계는, 에칭액에 의한 웨트에칭을 사용하고, 제2 에칭단계는 에칭 가스에 의한 드라이에칭을 사용한다. |
