| 主权项 |
1.一种具有改良及可控制TCR斜率之金属膜电阻器包括:一种适于电阻膜应用之绝缘基质;一种涂布至该基质之第一金属组成之第一层;一种涂布于该第一层且与其共延伸之第二金属组成之第二层;每一层之厚度为电阻系数,TCR及为该电阻膜选择之TCR斜率之函数;该第一金属组成与第二金属组成为不同之组成。2.根据申请专利范围第1.项之电阻器,其中该第一金属组成具有正値TCR及负値TCR斜率,且该第二金属组成具有负値TCR及正値TCR斜率。3.根据申请专利范围第1.项之电阻器,其中该电阻器更包括许多额外层且无二相邻之电阻膜层具相同物料组成。4.根据申请专利范围第1.或2.或3.项之电阻器,其中每一层之电阻膜是真空沉积在该基质上。5.根据申请专利范围第1.、2.或3.项之电阻器,其中该电阻器包括许多层,其是藉交替地真空沉积二种材料不同之电阻物料而得到。6.一种当做电阻膜之组成上经调整之多层薄膜系统包括:一种适于电阻膜应用之绝缘基质;一种涂布于该基质之第一金属组成之第一薄膜层;一种涂布于该第一薄膜层且与其共延伸之第二金属组成之第二薄膜层;每一层之厚度为电阻系数,TCR及TCR斜率(为该电阻膜选择)之函数;该第一金属组成及第二金属组成为不同之组成。7.根据申请专利范围第6.项之膜系统,其中该第一金属组成具有正値TCR及负TCR斜率,然而该第二金属组成具有负値TCR及正値TCR斜率8.根据申请专利范围第6.项之膜系统,其中该系统更包括许多额外层,且无相邻之二电阻膜层具有相同之物料组成。9.根据申请专利范围第6.、7.或8.项之膜系统,其中每一电阻膜层真空沉积于该基质上。10.根据申请专利范围第6﹒、7.或8.项之膜系统,其中该系统包括许多层,其是藉交替地真空沉积二种材料不同之电阻物料而得到。 |
