| 主权项 |
1.一种生产高密度及具有改良磁性记录特性之磁储存装置之制程,此制程包括下列步骤:清洁此储存装置之基体表面以使之成为实质上无油脂及氧化物之基体表面;无电沉积一非磁性镍磷层于该表面上;无电沉积一钴磷层于该镍磷层上,此无电钴磷层之沉积系在含有一钴离子源,一次磷酸离子源及一络合剂成份之浴中实施,此络合剂成份包括分别为有效数量之一柠檬酸离子源及一低分子量且可溶于浴中之氨基酸。2.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,包括在无电沉积该非磁性镍磷层之前,先在该实质上无油脂及氧化物之基体表面以锌酸盐镀锌,以沉积一薄金属锌层于此表面上。3.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,其中该钴磷浴包括一种缓冲剂。4.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,其中该缓冲剂为一种硼酸盐。5.如上述请求专利部分第3.项所述之制程,其中该缓冲剂选自硼酸,羧酸,及硷金属,四硼酸盐,偏硼酸盐及五硼酸盐之类化合物。6.如上述请求专利部分第3.项所述之制程,其中该缓冲剂为硷金属四硼酸盐。7.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,其中该低分子量,可溶于浴中之氨基酸包括2 至5 个碳原子。8.如上述请求专利部分第7.项所述之制程,其中该低分子量,可溶于浴中之氨基酸为一种—氨基酸。9.如上述请求专利部分第7.项所述之制程,其中该低分子量,可溶于浴中之氨基酸系选自—氨基丙酸,甘胺酸,麸酸一钠,丝氨酸,苏氨酸及缬氨酸之类化合物。10.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,其中该钴磷无电镀浴之 pH 値维持在约8—10.5。11.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,其中该钴磷浴之 pH 値维持在约9.4 —10.0。12.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,其中该无电镍磷沉积系在包括葡庚糖酸之酯络合物之浴中实施。13.如上述请求专利部分第12.项所述之制程,其中该葡庚糖酸之酯络合物系选自由葡庚糖酸之二硼,钨及钼酯所构成之化合物类。14.如上述请求专利部分第12.项所述之制程,其中该镍磷浴之 pH 値维持在约4.1 —4.9 。15.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,其中该镀有镍磷之基体在无电沉积钴磷层之前,先以机械打光及清洁,以除去存在于其上之任何氧化物。16.如上述请求专利部分第15.项所述之制程,其中该镍磷层经打光使其厚度约为0.1—2.0 密尔,然后在无电沉积钴磷之前先与酸溶液接触以使之活化。17.如上述请求专利部分第16.项所述之制程,其中该镍磷层经打光使其厚度约为0.3—0.5 密尔,然后在无电沉积钴磷之前先与酸溶液相接触以使之活化。18.如上述请求专利部分第1.项所述之制程,其中在该钴磷层之上施有一加有润滑剂之保护层。19.如上述请求专利部分第12.项所述之制程,其中该无电镍磷浴包括化学式为 R(COOH) n 之未饱合羧酸或其可溶于浴中之衍生物,式中R为具有2 个碳原子之未饱和之烷基链,式中之n 至少为1 ,该浴亦在实质上不含任何硫成份及其氧化状态低于硫之最高氧化状态。 |
