发明名称 光电变换装置及其制法
摘要
申请公布号 TW104354 申请公布日期 1988.10.11
申请号 TW075106127 申请日期 1986.12.20
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平
分类号 H01L31/00 主分类号 H01L31/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种光电变换装置,包含有:一透明基体;一光敏半导体层,设在该基体上,具有电极装置;和一树脂层,被设置成邻近该基体上的该半导体层并且与该半导体层的周边接触,使用该半导体层作为一种罩幕用来蚀刻该树脂层使该树脂层和该树脂层的周边之间的接触。成为接近,因此实质上没有寄生通道存在于该接触。2﹒一种影像感测器,包含有:一基体;和一光敏半导体阵列,被安置在该基体上,该阵列的每一个元件的组成包含有一层半导体层和一对电极,此对电极设在该半导体层的相对表面而且完全覆盖该等相对表面。3﹒如上述请求专利部份第2项所述之感测器,其中该第一和第二电极与该半导体层互相一致。4﹒如上述请求专利部份第2项所述之感测器,更包含有多根信号摘取线,分别与该等第一电极接触。5﹒如上述请求专利部份第2项所述之感测器,更包含有一树脂层,被安置在该阵列元件的各相邻者之间。6﹒如上述请求专利部份第5项所述之感测器,其中该树脂层的上表面不高于该半导体层者。7﹒如上述请求专利部份第5项所述之感测器,其中该树脂层与该半导体层齐平。8﹒用来制造包含有多个感测器元件的影像感测器的一种方法,该方法所包含的步骤有准备一个基体;在该基体上形成一个第一电极;在该第一电极上形成一层光电半导体和利用在该第二电极上的多个罩幕同时将该第一和第二电极和该半导体层移去,该等罩分别位对应到感测器元件的位置。9﹒如上述请求专利部份第8项所述之方法,更包含有一个步骤用来形成多根导电线藉以摘取该等元件的输出。10﹒如上述请求专利部份第8项所述之方法,更包含有一个步骤用来将树脂层安置在该等元件之间。11﹒如上述请求专利部份第10项所述之方法,其中该基体为透明者。12﹒如上述请求专利部份第11项所述之方法,其中该树脂层由一种负光抗蚀剂来形成,其方法是以作为罩幕的该元件来进行光蚀刻。13﹒如上述请求专利部份第12项所述之方法,其中的蚀刻条件经过适当的选择使剩余的树脂层与该半导体层齐平。14﹒如上述请求专利部份第1项所述之装置,其中该电极装置包含有:第一电极,设在该半导体层的一个表面上;和一个第二电极,设在该半导体层的另外一个表面上。15﹒如上述请求专利部份第14项所述之装置,其中该第一电极被制成透明者藉以让入射光线可以到达该光电半导体层,同时该第二电极被制成不透明者。16﹒如上述请求专利部份第14项所述之装置,其中该第一和/或第二电极被制成透明者藉以让入射光线可以到达该光电半导体层。17﹒如上述请求专利部份第14项所述之装置,其中半导体层与第一和第二电极之间的接触为电阻性者。18﹒如上述请求专利部份第17项所述之装置,其中该半导体层之中加入n─i─n,p─i──n,或m─i接面。图示简单说明图1(A)(B)和(C)显示习用技艺之形像感测器;图2(A)到2(J)是一些平面图和剖面图用来显示依照本发明的一种线性接触影像感测器;图3(A)到3(D)是一些平面图和剖面图用来显示依照本发明的另外一种线性接触形像感测器;和图4(A)到(J)是一些平面图和剖面图用来显示依照本发明的一种二元接触影像感测器。
地址 日本
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