Semiconductor power element.

摘要

Werden druckkontaktierte Leistungshalbleiterbauelemente starken Lastwechseln unterzogen, so kann dies zum Verschweißen von Elektrode und Kontaktelektrode führen und damit zum Ausfall bzw. Zerstören des Leistungshalbleiterbauelementes führen. Es wird eine Metallisierungsschichtfolge für eine zu druckkontaktierende Elektrode vorgeschlagen, die aus einer auf dem Halbleiterkörper aufliegenden Titan-Schicht (8) und darüberliegender Kupfer-Schicht (9) besteht. Zur Vermeidung von Oxidation der Oberfläche der Kupfer-Schicht (9) wird auf der Kupfer-Schicht (9) noch mindestens eine weitere Metallisierungsschicht angeordnet.