发明名称 ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHODS
摘要 본 발명은 기판을 제1 방향을 따라 이동시키는 동안에는 기판 상에 제1 반응층만을 증착하며 제1 방향의 역방향으로 이동시키는 동안에는 기판 상에 제2 반응층만을 증착한다. 제1 방향으로 이동하는 동안의 적어도 일부 동안에는 원료전구체 주입 채널을 통하여 원료전구체를 기판 상으로 분사하여 기판 표면에 제1 반응층을 증착하며 산소 가스 주입 채널을 통하여 산소가스를 제1 반응층 상에 분사하여 퍼지시킨다. 제1 방향의 역방향으로 이동시키는 동안의 적어도 일부 동안에는 산소 가스 주입 채널을 통하여 산소 플라즈마를 기판 상으로 분사하여 상기 제1 반응층 상에 제2 반응층을 증착한다.
申请公布号 KR20160137743(A) 申请公布日期 2016.12.01
申请号 KR20150070564 申请日期 2015.05.20
申请人 주식회사 엠티에스나노테크 发明人 정인권
分类号 C23C16/455 主分类号 C23C16/455
代理机构 代理人
主权项
地址