发明名称 制作超导体之方法
摘要
申请公布号 TW110996 申请公布日期 1989.04.01
申请号 TW077104629 申请日期 1988.07.06
申请人 日新制钢股份有限公司 发明人 小浦延幸
分类号 H01B12/06 主分类号 H01B12/06
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种制作超导体之方法,其特征为微粉碎烧成之陶瓷超导体材料,使之悬浊于熔剂中后,藉电泳法使之淀积于电极上。2.如申请专利范围第1.项所请制作超导体之方法,其中在溶剂中添加带电剂。3.如申请专利范围第1.项所请制作超导体之方法,其中在溶剂中添加分散安定剂。4.如申请专利范围第1.项所请制作超导体之方法,其中微粉碎陶瓷超导材料为0.1-5Om。5.如申请专利范围第1.项所请制作超导体之方法,其中使用酮系溶剂做为溶剂。6.如申请专利范围第1.项所请制作超导体之方法,其中做为溶剂使用醇系溶剂。7.一种制作超导体之方法,其特征为微粉碎经烧成之陶瓷超导材料,使其悬浊于溶剂中后,藉电泳法使之淀积于电极,然后以金属被覆。8.如申请专利范围第7.项所请制作超导体之方法,其中金属之被覆系藉电镀法予以施行。9.一种制作超导体之方法,其特征为微粉碎经烧成之陶瓷超导体材料,使其悬浊于溶剂中后,藉电泳法使之淀积于电极,再度予以烧成。10.一种制作超导体之方法,其特征为微粉碎经烧成之陶瓷超导体材料,使其悬浊于溶剂中后,藉电泳法使之淀积于电极上,再次予以烧成,然后以金属予以被覆。11.如申请专利范围第10.项所请制作超导体之方法,其中藉由电镀法施行金属之被覆。图示简单说明:第1图系表示经超音波搅拌后电解1分钟时之印加电压舆超导体电淀积量之关系图。第2-4图系表示实施例中作成之超导体特性图。第2图系X射线绕射图型第3图系表示磁化率图。第4图系表示电阻图。
地址 日本国东京都千代田区丸之内三丁目四番一号