| 主权项 |
1.制造实质上纯的矽元素之方法,其法包括下列步骤:(a)以一种硷金属元素还原卤化矽气体以制造矽元素时,将一种非反应性及可于大气压力下,在-90℃至+50℃冷凝之气体通入其反应区;(b)通入四氟化矽气体至该反应区以取代该非反应性冷凝气体;(c)导入一种硷金属至该反应区以获得矽与硷金属卤化物之混合物;(d)由该混合物分离实质上纯的矽元素。2.依申请专利范围第1项之制法,其中含有1或数个氟原子之卤代碳氢气体由二氯二氟化甲烷,溴三氟化甲烷,二溴二氟化甲烷,1,1,2,-三氯基-,1,2,2-三氟化乙烷,1,2,2-二氯基-1,1,2,2-四氟化乙烷等及其混合物中选取。3.依申请专利范围第2项之制法,其中之四卤化矽为四氟化矽。4.依申请专利范围第3项之制法,其中之硷金属为钠。5.依申请专利范围第4项之制法,其中之至少含1个氟原子之卤化碳氢气体为二氯二氟化甲烷。6.依申请专利范围第1项之制法,其法包括进一步步骤,即含1个或数个氟原子之卤化碳氢气体被四卤化矽取代后被冷凝并被再循环至反应区。7.依申请专利范围第6项之制法,其中由含1个或数个氟原子之卤化碳氢气体分离之周围环境气体经一洗净器而排出大气中。8.依申请专利范围第7项之制法,其中待反应终止后通入一种惰性气体至反应器中,使所有未反应之四氟化矽以惰性气体与未反应四氟化矽之混合物状态移出反应器。9.依申请专利范围第8项之制法,其中未反应之四氟化矽在一冷凝器中由惰性气体与四氟化矽之混合物分离。10.依申请专利范围第9项之制法,其中由惰性气体与四氟化矽混合物冷凝并分离之未反应四氟化矽被再循环至反应器。图示简单说明:附图所示为应用本发明之一分批断续型反应器。 |
