| 摘要 |
본 발명의 금속의 에칭방법은, 금속층을 갖는 기판을 준비하는 단계; 상기 금속층에 상기 금속층의 소정 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 에칭 레지스트층을 형성하는 단계; 상기 금속층의 노출된 영역을 에칭액에 침하시키는 단계; 및 상기 금속층과 소정 간격이 이격되도록 대전체를 배치하여 상기 금속층을 에칭하는 단계를 포함한다. 따라서, 외부의 정전기적 상호작용을 통한 금속내 전자들의 분극 현상을 이용하여 밀도를 편재화시켜 서로 다른 에칭 속도를 구현할 수 있다. |
