| 摘要 |
본 개시는 저장된 데이터에 따라 가변되는 저항 레벨을 갖는 메모리 셀과 제1 신호 라인을 통해 메모리 셀에 연결되어 데이터를 독출하는 독출 회로를 포함하고, 독출 회로는, 제1 신호 라인의 제1 전압을 피드백함으로써 제1 전압에 따라 변경되는 제어 신호를 생성하고, 생성된 제어 신호를 기초로 제1 전압을 정전압으로 제어하는 전압 제어부, 및 센싱 노드를 통해 전압 제어부와 연결되고, 센싱 노드의 센싱 전압과 기준 전압을 비교함으로써 데이터를 감지하는 센스 앰프를 포함한다. |
