| 摘要 |
박막 트랜지스터의 오프 전류의 증가, 또는 임계값 전압의 마이너스 시프트를 예방하는 것이다. 박막 트랜지스터(150)는, 소스 전극층(107a) 및 드레인 전극층(107b)과 산화물 반도체층(103) 사이에 버퍼층(106)이 형성된다. 버퍼층(106)은, 산화물 반도체층(103)의 중앙부 위에, 절연체 또는 반도체인 금속 산화물층(105)을 갖는다. 금속 산화물층(105)은, 산화물 반도체층(103)에의 불순물의 침입을 억제하는 보호층으로서 기능한다. 따라서, 박막 트랜지스터(150)의 오프 전류의 증가, 또는 임계값의 마이너스 시프트를 예방할 수 있다. |
