| 主权项 |
1﹒在基质上制造厚膜介电结构之方法,包含:(a)在基质上沈积含适合玻璃料及有机媒液之厚膜介电墨料模型;(b)使墨料乾燥,生成模型层;(C)以电浆处理该层,于低于有机媒液热分解之温度,为时足以由该层中实质去除有机媒液;及(d)燃烧该层,在钝气中,于玻璃料之玻璃转化温度或以上之温度,至玻璃料溶化为止,其改良为电浆系二氧化碳电浆。2﹒根据上述申请专利范围第1项之方法,其中电浆处理系于约100一200℃之温度下进行。3﹒根据上述申请专利范围第1项之方法,其中电浆处理层系于约850℃至约-950℃之温度燃烧。4﹒根据上述申请专利范围第1项之方法,其中该层系在氮中燃烧。5﹒根据上述申请专利范围第1项之方法,其中该乾燥墨料在川二氧化碳电浆处理之前,先经氧电浆处理,为时足以去除约75至约99重量%有机媒液。6﹒在基质上制造厚膜铜导体之方法,包含:(a)在基质上沈积含适当玻璃料、铜粒子及有机媒液之厚膜墨料模型;(b)使墨料乾燥,生成模型层;(c)以电浆处理该层,于低于有机媒液热分触之温度,为时足以由该层中实质去除有机媒液;及(d)燃烧该层,在钝气中,于玻璃料之玻璃转化温度或以上之温度,至玻璃熔化为止,其改良为电浆系二氧化碳电浆。 |
