| 主权项 |
1﹒一种稀土钴金属间化合物磁石之烧结热处理方法,系利用「冷速控制及等温时效」处理(controlledcoolingandiso─thermalageing,可简称CCIA,制得具有以下磁特性之(SmxPr1─x)COy磁石:残留磁束密度Br至少9000Gauss,本质保磁力iHC至少15,000Oerstcd,磁能积(BH)至少19﹒010^6GaussOersred,其制程步骤包括:将(SmxPr1─x)COy磁石粉末在磁成型后,(1)于1000-1200℃的烧结温度下,烧结30-60分钟,(2)自烧结温度速冷至第一冷却温度(1000-1100℃),此段温区内之冷速控制在>10℃/min,(3)自第一冷却温度缓冷至第二冷却温度(870-930℃),此段温区内之冷速控制在10℃/min,(4)保持在870-930℃的温度范围内,等温时效1-10小时﹒(5)自第二冷却温度急冷至300℃,此段温区内之冷速控制在>40℃/min,(6)自300℃至室温之温区内,尽速冷却至室温。2﹒依申请专利范围第一项所述之稀土钴金属间化合物磁石之烧结处理方法,其中之(SinPr1─x)COy磁石,x値可为0﹒5≦x%0﹒67,y値可为4﹒6≦y≦5﹒0。3﹒依申请专利范围第一项所述之稀土钴金属间化合物磁石之烧结热处理方法,其中步骤(3)之冷速,以2-4℃/min为佳。4﹒依申请专利范围第二项述之稀土钴金属间化合物磁石之烧结热处理方法,其中之(SmxPr1─x)COy磁石,以(Sm0﹒4Pr0﹒5)CO4﹒6较佳。5﹒依申请专利范围第二项所述之稀土钴金璃间化合物磁石之烧结热处理方法,其中之(SmxPr1─x)COy磁石,以(Sm0﹒67Pr0﹒33)CO4﹒6尤佳。6﹒依申请专利范围第一项所述之稀土钴金属间化合物磁石之烧结热处理方法,其中之烧结温度,对(Sm0﹒6Pr0﹒33)SO4﹒6以1080-1140℃较佳。 |
