| 主权项 |
l 一种适用于电浆表面处理之装置包括有电浆产生部份,此部份经由至少一电浆入口装置与封闭之电浆处理部份相通,此处理部份可在较电浆产生部份为低之温度下运作,其特点为其电浆处理部份系与流体反应剂之A囗装置相通。2 根据申请专利范围第l项所述之装置,其流体反应剂入囗装置在电浆入囗装置与电浆处理部份电浆表面处理支撑装置之目标区之间至少有一开囗。3 根据申请专利范围第2项所述之装置,其中之流体反应剂入囗装置包括设有衆多开口配置于电浆处理部份内与电浆入囗装置在一线上之环状分配装置,以使电浆束可经由分配装直之环状开口传输之。4 根据申请专利范围第1 、 2或3项所述之装置,其中之电浆入囗装置包括通往电浆处理部份之喷嘴。5 根据申请专利范围第1 、 2或3项所述之装置,其中之电浆处理部份包含有接直用以导引电浆东朝向待处理表面。6 一种用于制备膜层之方法,此方法包括旦方维持于至O lE之电浆产主区内产生电浆,使电浆拓展至压力维持于o lE以T之电浆处理区内,以至少一种反应剂引入至电浆处理区,并使反应剂能在基体上形成膜层。7 根据申请专利范围第6项所述之方法,其中使包含有元素周期表上o族中之至少一项元素 ( 宜为氢 ) 之形成电浆之流体引入至电浆产生区内。8 根据申请专利范围第7项所述之方法,其中,形成电浆之流体之流体与反应剂流通速率 ( 以每秒立方公尺表示 ) 比系为1 一1000 , 宜为 8 一 400 。9 根据申请专利范围第6 、 7或8项所述之方法,其中之流体反应剂包含一种芳香单体,尤指甲苯。10 根据申请专利范围第6. 7或8项所述之方法,其中之流体反应剂包含一种有机烷化合物。11 根据申请专利范围第6. 7或8项之方法,其中之流体反应剂包含一种芳香单体,特别是甲苯和一有机 烷化合物。中使包含有元素周期表上o族中之至少一项元素 ( 宜为氢 ) 之形成电浆之流体引入至电浆产生区内。8 根据申请专利范围第7项所述之方法,其中,形成电浆之流体之流体与反应剂流通速率 ( 以每秒立方公尺表示 ) 比系为1 一1000, 宜为 8 一 400 。9 根据申请专利范围第6 、 7或8项所述之方法,其中之流体反应剂包含一种芳香单体,尤指甲苯。10 根据申请专利范围第6. 7或8项所述之方法,其中之流体反应剂包含一种有机烷化合物。11 根据申请专利范围第6. 7或8项之方法,其中之流体反应剂包含一种芳香单体,特别是甲苯和一有机 烷化合物。图示简单说明 :图1所示为根据本发明装置简略显示之纵长方向所面图2所示为串接电弧电浆产生装置之纵长方向断面。 |
