| 主权项 |
1.一种盆件其由一热塑性聚合物所模制而成,该盆件包含一管状之通常垂直壁面,一一体之底壁,以及通常垂直壁面之一部分系构成一可破裂线而垂直壁面可沿该线而被分开。2.如申请专利范围第1项之一种盆件,其中可破裂线系界定成一带件。3.一种盆件其包含一赞状之通常垂直壁面,一一体之底壁,以及通常垂直壁面之一部分厚度较藓以构成一可破裂线两垂直壁面可沿该线而被分开,其中厚度较藓部分系界定成一带件,带件之任一侧至少具有两组厚度较盆件壁面为薄之分接壁面部分,且带件系由垂直壁面之一顶部螺旋至底壁处。4.如申请专利范围第1项之一种盆件,其中至少设有两组可破裂线。5.如申请专利范围第4项之一种盆件,其中可破裂线系由厚度较盆件壁面为薄之两分离壁面部分所形成而此类可破裂线于其间界定成一狭窄带件,该狭窄带件可选择式地为一厚度较壁面为难之壁面部分或具有盆件壁面之厚度。6.如申请专利范围第1项之一种盆件,其中可破裂线由垂直壁面之一顶部螺旋至底面处。7.如申请专利范围第6项之一种盆件,其中螺旋由垂直壁面之顶部至底壁处至少横越一整圈。8.如申请专利范围第7项之一种盆件,其中螺旋由垂直壁面之顶部至底壁处至少横越壁面之电圈。9.如申请专利范围第7项之一种盆件,其中螺旋由垂直壁面之顶部至底壁处延伸约电圈。10.如申请专利范围第1项之一种盆件,其中可破裂线系一由垂直壁面之一顶部延伸至壁面之一底部处之直线。11.如申请专利范围第10项之一种盆件,其中可破裂线包括厚度较垂直壁面为薄之第一部分并包括一沿底壁之厚度较难部分,厚度较藓部分系将厚度较薄之线朝下连至垂直壁面处。12.如申请专利范围第11项之一种盆件,其包括一厚度较薄之第二部分其为沿垂直壁面之一直线,厚度较蒲之第二部分系相对于厚度较藓之第一部分且藉着沿底壁之厚度部分而相连。13.如申请专利范围第12项之一种盆件,其中厚度较藓之底部系充件一一体之枢钮部而盆件可围绕该柜钮而分开。14.如申请专利范围第12项之一种盆件,其中沿底部之厚度较猪部分适于启分裂。15.如申请专利范围第12项之一种盆件,其中厚度较藓之底部系构成一凹槽。16.如申请专利范围第1项之一种盆件,其包括一环带其在可被破裂线之壁面区域中自盆件处延伸而出,以藉此易于沿可破裂线处之壁面部分两分裂开垂直壁面。17.如申请专利范围第16项之一种盆件,其中环带系设于可破裂线之壁面之一部分上。18.如申请专利范围第11项之一种盆件,其中沿底壁之厚度鞑藓部分配合厚度较藓之垂直壁面部分达一变曲半径。19.一种藉着横制一热塑性聚合物以形成盆件之方法,其包含一构成一具盆件型式之横具:形成馍具以容许模制成一盆件其具有管状之通常垂直壁面,一一体之底壁,以及垂直壁面之一部分系具较垂直壁面为藓之厚度;基本上在一单一作业中于模具内形成盆件,以及基本上在成型步撰中提供模制之盆件其具有一厚度较垂直壁面为藓之壁面部分。20.如申请专利掘围第19项之一种方法,其包括使摸具揍成藉此至少一单一环带系横制于邻接厚庭按洁之壁面部分之壁面上。21.如申请专利范围第20项之一种方法,其中环带系馍制于厚度鞍藓部分上。22.如申请专利范围第19项之一种方法,其中模制作业系藉热成型之横制程序加以安施者。23.如申请专利范围第19项之一种方法,其中抿制作菜可选择式地为吹横程序或真空成型程序。 |
