发明名称 热转移印花
摘要 一种转移薄片,适用于染料扩散热转移印花法俾根据花纹信息产生图像,其中包含一具涂层之基质,该涂层包含一黏合剂,至少一种式I染料□ Ⅰ式中R1表烷基,烯基,环烷基,卤烷基,氰烷基,烷氧基烷基,烷氧基烷氧基烷基,羟烷基,羟烷氧基烷基,羟烷基硫烷基,四氢喃甲基,烯基氧烷基,四氢喃甲基氧烷基,烷氧基羰烷基,烷氧基羰氧基烷基R2表R1所表之任一取代基或下式基团□式中R3,R4,R5各独立地表氢,卤素,硝基,烷基,烯基或烷氧基,及至少一种式Ⅱ双偶氮染料:A-N=N-B-N=N-E Ⅱ式中:A为可重氮化之苯胺或胺A-NH2残基,携带至多1个之不饱和吸引电子基;B为可视需要而取代之伸苯硫-2,5-基或伸唑-2,5-基;且E为芳族偶合组分E-X之残基,其中X为可以重氮化芳族胺取代之原子或基团。
申请公布号 TW137139 申请公布日期 1990.07.01
申请号 TW078107482 申请日期 1989.09.29
申请人 卜内门洋硷公司 发明人 彼得.艾伦.吉米尔;理查.安东尼.海恩;罗伊.布洛迪布瑞
分类号 B41M5/30 主分类号 B41M5/30
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒一种热转移印花薄片,包含一具涂层之基质,该涂层包含一黏合剂,至少一种式I葱染料式中R^1表烷基,烯基,环烷基,卤烷基,氰烷基,烷氧基烷基,烷氧基烷氧基烷基,羟烷基,羟烷氧基烷基,羟烷基硫烷基,四氢喃甲基,烯基氧烷基,四氢喃甲基氧烷基,烷氧基羰烷基,烷氧基羰氧基烷基,且R^2表R^1所表之任一取代基或下式基团:式中R^3,R^4及R^5各独立表氢,卤素,硝基,烷基,烯基或烷氧基,及至少一种式Ⅱ双偶氮染料:A─N=N─B─N=N─E式中:A为可重氮化之苯胺或荼胺A─NH2之残基,携有至多1个之不饱和吸引电子基;B为可视需要取代之伸苯硫─2,5─基或伸唑─2,5─基;且E为芳族偶合成分E─X之残基,其中X为可以重氮化芳族胺取代之原子或基团。2﹒根据申请专利范围第1项之热转移印花薄片,其中该葱染料中,R^1系选自C1─6─烷基,C1─4─烷氧基─C1─4─烷基,C1─4─烷氧基─C1─4─烷氧基─C1─4─烷基,卤基─C1─4─烷基,C2─6─烯基及C4─8─环烷基。3﹒根据申请专利范围第1或第2项之热转移印花薄片,其中该葱染料中,R^2为下式:其中R^3及R^4系选自氢,C1─6─烷基,C3─6─烯基,C4─8─环烷基,C1─6─烷氧基,C1─4─烷氧基─C1─4─烷基,卤基─C1─4─烷基,卤素及C1─4─烷氧基─羰氧基─C1─4─烷基。4﹒根据申请专利范围第1项之热转移印花薄片,其中R^1为C1─4烷基且R^2为携有一或二个选自C1─4─烷基及C1─4─烷氧基之基团之苯基。5﹒根据申请专利范围第1项之热转移印花薄片,其中葱染料中之R^1及R^2系选自C1─6─烷基,C1─6─烷氧基,C1─4─烷氧基─C1─4─烷基,C1─4─烷氧基─C1─4─烷氧基─C1─4─烷基,C1─4─烷氧基羰氧基─C1─4─烷基,氯─C1─4─烷基及溴─C1─4─烷基。6﹒根据申请专利范围第1项之热转移印花薄片,其中双偶氮染料中A为式Ⅲ:CONTT2其中T各别为H,C1─4─烷基或苯基而T'为C1─4─烷基或苯基;且R^3为H或C1─4─烷基。8﹒根据申请专利范围第1项之热转移印花薄片,其中双偶氮染料中E为式V:式中R^4及R^独立地选自H,C1─4─烷基,芳基,C4─8─环烷基及以选自下列之基团:OH,CN,卤素,芳基,C1─4─烷氧基,C1─4烷氧基─C1─4─烷氧基,C1─4─烷基─CO─,C1─4─烷氧基─CO─,C1─4─烷基─COO─,─C1─4─烷氧基C1─4─烷氧基─CO─,C1─4─烷氧基─CO0─等取代之C1─4─烷基;且R^6选自H,C1─4─烷基,氰基C1─4─烷基,C1─4─烷氧基及─NHCOT1其中T'为C1─4─烷基或苯基。9﹒根据申请专利范围第1项之热转移印花薄片,其中该双偶氮染料为式VII:式中R选自H,CN,SCN,NO2,─CONT2─,─SO2NT2─COT,─SO2T1,─COOT2,─SO2OT2,COF,─COCl,─SO2F,─SO2Cl其中各T独立为─H2C1─4─基或苯基,T1为C1─4─烷基或苯基,且T2为C1─4─烷基;各R^1独立地选自H;C1─4─烷基;C1─4─烷氧基:F;cl;;BR;CF3及─NT2;且n为1,2或3。7﹒根据申请专利范围第1项之热转移印花薄片,其中双偶氮染料中B为式IV:R^选自H;─CN;CNO2;─CONT2─;─SO2NT2;─COT;─SO2T1;COOT2及SO2OT2;各R^1独立地选自H;卤素,尤指F,C1或BR:CF3;C1─4─烷基;C1─4─烷氧基;─NT2:n为1,2或3;R^2选自CN,─COT1,─CONT2及COOT1R^2选自CN,─COOT1,─COT1及─R^3为H或C1─4─烷基;R^4及R^5独立地选自H,C1─4─烷基,苯基,C4─8─环烷基及以下列基团:OH,CN,C1─4─烷氧基,C1─4─烷式基─C1─4─;烷氧基,C1─4─烷基─CO─,C1─4─烷氧基─CO─,─C1─4─烷基─COO─,卤素,C1─4烷氧基─C1─4─烷氧基─CO─,C1─4─烷氧基─COO─及苯基等取代之C1─4─烷基,且R^6选自H,C1─4─烷基,氰基C1─4─烷基,C1─4─烷氧基及─NHCOT1,其中各T独立为─H,C1─4─烷基或苯基,T1为C1─4─烷基或苯基,且T2为C1─4─烷基。10﹒根据申请专利范围第9项之热转移印花薄片,其中该式Vl双偶氮染料中:R选自─H,─CN,C1─4─烷基─SO2─及C1─4─烷氧基─CO─;R^1选自─H,─Cl,─Br,─CF3及C1─4─烷基;R^2为─CN;R^3为─H或─CH3;R^6为H,C1─4─烷基─CONH─或─CH3:且n为1。11﹒根据申请专利范围第1项之热转移印花薄片,其中该双偶氮染料为式VⅡ:式中R选自H;─CN;─NO2:─CONT2─;─SO2NT2;─COT;─SO2T1;COOT2及SO2OT2;R^1选自H;卤素;CF3;C1─4─烷基;C1─4─烷氧基;─NT2;n为1,2或3;R^3为H或C1─4─烷基;R^4及R^5独立地选自H,C1─4─烷基,苯基C4─8─,环烷基及以选自下列之基团:OH,CN,C4─8─烷氧基,C1─4─烷氧基,C1─4─烷氧基,C1─4─烷基─CO─,C1─4─烷氧基─co─,C1─4─烷基─coo─,卤素,C1─4─烷氧基─C1─4─烷式基─CO─,C1─4─烷氧基─coo─及苯基等取代之C1─4─烷基;且R^6选自H,C1─4─烷基,氰基C1─4─烷基,C1─4─烷氧基及─NHCOT1,其中各T独立地为─H,C1─4─烷基或苯基,T1为C1─4─烷基或苯基且T2为C1─4─烷基。12﹒根据申请专利范围第11项之热转移印花薄片,其中式vⅡ双偶氮染料中:R及R^1为─H;R^3为─H及─cH3;R^4及R^5选自乙基,正丙基及正丁基;R^6为─H,─cH3或─NHcocH3。13﹒根据申请专利范围第1项热转移印花薄片,其中染料混合物包含式I葱染料,式中R^1为甲基或正丁基且R^2为3─甲基苯基,4─甲基苯基或4─甲氧基苯基,及式vl双偶氮染料,式中R,R^1及R^3为氢,R^2为─cN,R^4及R^5独立为C1─4─烷基或C1─4─烷氧基─C1─4─烷基,且R^6为H1甲基或乙醯胺基。14﹒一种转移印花法,包含将根据申请专利第1至13项中任一项之转移薄片与接收薄片接触,致染料与接收薄片接触,并选择性加热转移薄片区至300℃至400℃历1至20毫秒,所转移到接收薄片上之染料量与加热时间成比例。15﹒根据申请专利范围第14项之转移印花法,其中该接收薄片为白色聚酯膜。16﹒一种制备如申请专利范围第1至13项中任一项之热转移印花薄片之方法,其包括将内含0﹒1至10℃%染料及0﹒1至10%黏合剂于溶剂中之油墨涂布于基质上,并蒸发该溶剂前于基质上生成一含染料及黏合剂之涂层。17﹒根据申请专利范围第1到13项中任一项之热转移印花薄片,其中该基质厚度<20um且能耐最高400℃之温度达最多20毫秒,并选自纸、聚酯、聚丙烯酸酯,聚醯胺,纤维素类及聚伸烷基类薄膜,其金属化型,包括供聚物及积层膜及结合聚酯接收剂层之积层板。18﹒根据申请专利范围第1到13项中任一项热转移印花薄片,其中该黏合剂为适宜黏结该染料及基质之任一树脂性或聚合性物料。19﹒根据申请专利范围第1到13项中任一项热转移印花薄片,其中该黏合剂对染料之比为1:1至4:1。20﹒根据申请专利范围第1到13项中任一项热转移印花薄片,其中该黏合剂系选自羟基纤维素乙酯,羟丙基纤维素,甲基纤维素,乙基纤维素,纤维素乙酸酯,纤维素乙酸酯丁酸酯,淀粉,藻朊酸衍生物,醇酸树脂,聚乙烯醇,聚乙烯丁缩醛,聚乙烯一氮伍圜酮,聚丙烯酸,聚甲基丙烯酸甲酯,苯乙烯─丙烯酸酯共聚物,聚酯树脂,聚醯胺树脂,聚,聚酯树脂,有机矽酮,环氧,中性树脂,黄蓍胶及阿拉伯胶。
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