| 主权项 |
1﹒一种直接切割交流高压取得低压直流的高效率转换器,包含有:一整流部份,系由二极体连接,再连接一截取电压部份:一截取电压部,包括有电阻R1,电阻R3与场效晶体FET1并联,电阻R1串连一齐纳二极体ZD1,齐纳二极体ZD1再与并联之电阻片、电容C1及电晶体TR2串连,场效晶体FET1─与电阻R3连接,再与电晶体TR2.TR3串连,一与二极体D1串连二极体D1与负载Load、电容C2及电阻R4并联,而电阻R4与齐纳二极体ZD2串连,齐纳二极体ZD2与并联之电阻R5.电晶体TR3连接;如图所示(以上叙述以图为准)。其主要特征系所输入之交流电压峰値高于所需直流电压,经过整流部份的整流及截取电压部份将电压截取出来,而得一恒定之低压直流电者。2﹒依据申请专利范围第1项所述直接切割交流高压取得低压直流的高效率转换器,其中截取电压部份的二个齐纳二极体,齐纳二极体ZD1必须要大于齐纳二极体ZD2,否则以ZD2为中心的回授电路会完全没有发挥效用。3﹒依据申请专利范围第1项所述直接切割交流高压取得低压直流的高效率转换器,其中截取电压部份的场效晶体FET1亦可为金氧半场效晶体来代替。4﹒依据申请专利范围第1项所述直接切割交流高压取得低压直流的高效率转换器,其中截取电压部份的电晶体TR3亦可为场效晶体来代替。图示简单说明图一a系本创作之电路示意图。图一b系本创作整流部份另一电路图。图二a系本创作A点位置全波波形图。图二b系本创作A点位置半波波形图。图三a系本创作B点位置全波波形图。图三b系本创作B点位置半波波形图。图四系本创作C点位置波形图。图五a系本创作连接小负载之涟波波形。图五b系本创作连接大负载之涟波波形图。 |
