| 摘要 |
<p>Inventia se refera la un procedeu de realizare a celulelor solare cu siliciu. procedeul, conform inventiei, prevede ca oxidarea initiala sa se efectueze la temperatura 1100 degree C timp de 120 min. în oxigen uscat, urmate de 120 min. în ambiant de oxigen uscat, plus 3% acid clorhidric, iar difuzia borului sa fie realizata în doua trepte, prima de concentratie scazuta la temperatura de 1200 degree C, 30 min.în oxigen uscat urmate de 120 min în oxigen umed plus 3% acid clorhidric si continuate cu 240 min în oxigen uscatpentru obtinerea unui strat p de emitor, iar a doua treapta de concentratie înalta la temperatura de 925 degree C în ambiant de oxigen umed plus 3% acid clorhidric, timp de 25 min, pentru obtinerea celui de-al doilea strat de emitor p+, dupa difuzie urmând stabilizarea suprafetei emitorului printr-un tratament termic la 400 degree C timp de 60 min, în gaz de formare.</p> |
