| 摘要 |
一种离子束（射）移植系统，具有离子源(10)用来产生多重之束射单元(13)。束射单元从离子源放射，而且在控制装置(12)之控制下可以利用电极阵列来控制该等束射单元之强度。在该电极阵列之下游有一个分解磁铁(16)用来对该等束射单元进行整形和将其引导至一区域，在该一区域于该等束射单元撞击在工作件之前，对该等束射单元进行更进一步之加速。在本发明之一较佳技术中，该工作件(22)是一种典型之矽晶片，当进行移植时使用离子来控制该晶片之掺杂，而不需要以离子束射扫描工作件之选定部位或使晶片移动经过离子束射。 |
