| 发明名称 |
Trench power MOSFET device |
| 摘要 |
A trench power MOSFET device is disclosed wherein the method of manufacturing produces a high density MOSFET cell with good breakdown characteristics.
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| 申请公布号 |
US4967245(A) |
申请公布日期 |
1990.10.30 |
| 申请号 |
US19880167617 |
申请日期 |
1988.03.14 |
| 申请人 |
SILICONIX INCORPORATED |
发明人 |
COGAN, ADRIAN I.;THORNTON, NEILL R. |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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