| 摘要 |
Ce procédé comporte les étapes a) prévoir un substrat (1) semi-conducteur comportant une première surface (10) et une seconde surface (11) opposée, le substrat (1) comportant une première zone semi-conductrice (100) comprenant des atomes de bore, la première zone semi-conductrice (100) étant destinée à être en contact avec une électrode (E), le procédé étant remarquable en ce qu'il comporte les étapes b) former une couche diélectrique (2) à la seconde surface (11) du substrat (1), la couche diélectrique (2) comportant des atomes de phosphore ou d'arsenic, c) appliquer un recuit thermique adapté pour diffuser les atomes de phosphore ou d'arsenic de la couche diélectrique (2) jusqu'à la seconde surface (11) du substrat (1) de manière à former une deuxième zone semi-conductrice (110) destinée à être en contact avec une électrode (E), et pour former une couche d'oxyde (3) thermique à la première surface (10) du substrat (1). |
