| 主权项 |
l.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:将作为下层之中问半导体装置表面的氧化膜,以卤化合物气体与氧气之混合气体的放电活性基,藉控制上述氧气流量相对于上述混合气体流量之比与上述中间半导体装置之温度,而使矽之蚀刻速度与矽氧化物之蚀刻速度可及地接近的蚀刻条件下,加以除去之制程;与使除去了上述氧化膜之中间半导体装置的表面不暴露于大气地在上述表面形成膜之制程。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中,蚀刻条件系使矽之蚀刻速度相对于矽氧化物之蚀刻速度的蚀刻速度比在5以下。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置的制造方法蚀刻速度比为5以下之蚀刻条件,假设氧气流量相对于混合气体流量之比为Y%,中间半导体之温度为T(℃)时可藉满足下式而得:Y≧-0.13T+106.34.一种半导体装置之制造装置,其特征为具备:将作为下层之中间半导体装置表面的氧化膜,以卤化合物气体与氮气之混合气体的放电活性基,藉控制上述氧气流量相对于上述混合气体流量之比与上述中间半导体装置之温度,而使矽之蚀刻速度与矽氧化物之蚀刻速度可及地接近的蚀刻条件下,加以除去之装置;与使除去了上述氧化膜之中间半导体装置的表面不暴露于大气地在上述表面形成膜之装置。图示简单说明:图1为本发明装置之第1实例的全体构成图,图2为表示利用CF4/O2混合气体之微波放电电浆的Si及Sio2,之蚀刻速度与温度关系图,图3为本发明装置之第2实施例的全体构成图,图4为表示利用CF4/O2气体之微波放电电浆的Si及Sio2之蚀刻速度与气体流且比(O2/CF。+O2)关系图,图5为表示基材材料与其氧化物之蚀刻速度比为5以下之蚀刻条件领域的关系图,图6及图7分别表示依上述各实施例之装置的半导体装置制程之一部份的制程断面图,图8为本发明装置之第3实施例的全体构成图,图9为表示依本发明之第3实施例装置的半导体装置制程之一部份的断面图,图10为本发明装置之第4实施例的全体构成图。 |
