发明名称 控制深度的雷射钻孔系统
摘要 提供一种控制深度之雷射钻孔系统,供含有金属导线之工作件钻孔用,该系统具有至少一雷射束(图5之56及/或57),其中,雷射束(44)之一部份由工作件反射回至一钻孔深度监测器(43),该监测器含有能反射原及反射之雷射束之一部份至辐射侦测器(46′,46〞,及/或45′,45〞)之光学装置,其中,侦测器能变换所接收之辐射为可量度之电信号。
申请公布号 TW155109 申请公布日期 1991.04.01
申请号 TW077104204 申请日期 1988.06.21
申请人 西屋电气公司 发明人 威廉.亨利.凯斯纳;詹姆士.法兰克林.罗屈;维森特.安竹.托
分类号 B23K26/00 主分类号 B23K26/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒用于含有金属导线及一基体之工作件上之一种控制深度之雷射钻孔系统,该雷射钻孔系统之特征为具有:(1)一第一雷射发射机,用以发射能穿过金属及基体材料之一原雷射束(57);及一第二雷射发射机,用以发射能穿过基体材料但大部份自金属反射之一原雷射束(56),其中,二雷射东之一部份由该工作件(10)反射;及(2)钻孔深度监测器(43),包含光学:装置,能:(a)聚焦每一雷射东于工作件上,(b)反射三原雷射东之一部份于一第一组辐射侦测器上,及(c)反射自工作件所反射之二雷射束之一部份于一第二组辐射侦测器上,其中,二组侦测器能史换所接收之I射为匕信抗。2﹒如申茄f利伍出第I项所述之雷射钻孔系统,其中,来自第二1射侦测器之定信抗随原雷射束硬射所矮枋之工作件上之材料而艾化。3﹒如申请冉利范出第1项所述之雷射父孔系统,其中,能反射宦射束之光学装且包含每一雷射发射梭之一光学枋件。4﹒如申请冉利范出第1项所述之雷射拉孔系统,其中,该第一雷射发射机能发射具有波长自约0﹒4微米至约38米之一雷射束,及第二雷射发射梭能发射具有波长自约8微米至约15微米之一雷射束。5﹒如申请专利范围第1项所述之雷射幻孔系统,其中,该第一雷射发射机选自钕一yAG及钕一玻璃雷射所组成之群中,及第二雷射发射机为一CO2雷射。6﹒如申请专利范围第1项所述之雷射幻孔系统,其中,部份雷射束反射部份雷射束透射之光单元件为该光学装置之组成件,能反射二原雷射束及反射之雷射束至二组侦测器。7﹒如申请专利范围第1项所述之雷射幻孔系统,其中,一聚焦透镜置于能反射原及反射之雷射顶射之光学装置及工作件之间。8﹒如申请专利范围第1项所述之雷射幻孔系统,其中,可见光由工作件反射至连接于电视监视器上之一电视摄影机。9﹒如申请专利范围第2项所述之雷射幻孔系统,其中,电信号经量度并发送至一记录器,以比较来自第二组辐射侦测器之电信号,并开动及停止雷射发射机。10﹒如申请专利范围第5项所述之雷射幻孔系系统,其中,该光学元件为一雷射东反射元件,具有挖空之一中央部份,俾容许大部份之辐射通过其中。11﹒如申请专利范围第6项所述之雷射幻孔系系统,其中,该光学元件对接触之辐射且半反射性,容许约80%至95%之辐射通过
地址 美国