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<p>Eine Silikatschicht, die insbesondere als Zwischenoxidisolationsschicht in einer integrierten Schaltung zum Ausgleichen topographischer Unebenheiten dient, wird durch folgende Verfahrensschritte hergestellt: Photoinduziertes Polymerisieren von Polysiloxan mittels Gasphasenreaktion ausgehend von einer SiO-haltigen oder SiC-haltigen organischen Verbindung zusammen mit einem O2-haltigen und/oder einem N2O-haltigen Gas bei einer ersten Temperatur und einem ersten Druck in einem Reaktionsraum; Kondensieren von Polysiloxan zum Erzeugen einer Polysiloxanschicht auf einer Struktur, insbesondere auf den Schaltungsstrukturen der integrierten Schaltung, in einem von dem Reaktionsraum getrennten Kondensationsraum bei einer zweiten, unterhalb der ersten Temperatur liegenden Temperatur, die mindestens so hoch ist, daß die SiO-haltige oder SiC-haltige organische Verbindung bei einem vorgegebenen zweiten Druck im Kondensationsraum nicht mehr kondensiert, jedoch höher ist als die Temperatur, bei der Polysiloxan bei dem zweiten Druck kondensiert; und Umwandeln der Polysiloxanschicht in die Silikatschicht.</p> |
