发明名称 可提高压电陶瓷Kp値的热反覆处理方法
摘要 本发明系揭示一种可提高压电陶瓷kp值的热反覆处理方法,其步骤包括:(Ⅰ)将经极化的压电陶资置于50~130℃之温度中5~60分钟,(Ⅱ)今该压电陶瓷急速冷却至室温,(Ⅲ)反覆实施(Ⅰ)与(Ⅲ)步骤,直至该压电陶瓷的kp值达致饱和值为止。本发明可有效提高经极化的压电陶瓷之kp值达3%~8%,从而可延长压电陶瓷的使用寿命及增进其使用效率,加之实施简易,成本低廉,极具产业上利用价值。
申请公布号 TW160049 申请公布日期 1991.06.11
申请号 TW078108446 申请日期 1989.10.30
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 王宏文;郑世裕
分类号 H01L13/20 主分类号 H01L13/20
代理机构 代理人
主权项 1﹒一种可提高压电陶瓷kp値的热反覆处理方法,系包括:(I)将经极化的压电陶瓷置于50-130℃之温度中5-60分钟,(II)令该压电陶瓷急速冷却至室温,(III)反覆实施(I)与(II)步骤,直至该压电陶瓷的kp値达致饱和値为止2﹒如申请专利范围第1项所述之可提高压电陶瓷kp値的热反覆处理方法,其中(III)反覆实施(I)与(II)步骤之次数,以4至6次尤佳。3﹒如申请专利范围第1项所述之可提高压电陶瓷kp値的热反覆处理方法,其中之压电陶瓷可为所有含铅系之压电陶瓷。4﹒如申请专利范围第1项所述之可提高压电陶瓷kp値的热反覆处理方法,其中之压电陶瓷可为钛锆酸铅(PZT)压电陶瓷。5﹒如申请专利范围第1项所述之可提高压电陶瓷kp値的热反覆处理方法,其由之压电陶瓷可为(Pb1─xSrx)[Zr0﹒25T10﹒48)─0﹒97Nb0﹒03]0﹒03,0≦x≦0﹒15。图示简单说明图(a)至(e)系本发明实施例之陶瓷试片其kp値与热反覆处理次数之关系曲线图。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号