| 摘要 |
핀 기반 트랜지스터(예를 들어, 더블 게이트, 트라이게이트 등의 FinFET)에 고 이동도를 갖도록 변형된 채널을 내장시키기 위한 기술이 개시되는데, 여기서, 스트레스 재료가 핀의 채널 영역 위에 클래드된다. 한 예의 실시예에서, 실리콘 게르마늄(SiGe)이 원하는 스트레스를 제공하도록 실리콘 핀 위에 클래드되지만, 다른 핀 및 클래딩 재료가 사용될 수 있다. 이 기술은 전형적인 공정 플로우와 호환가능하고, 클래딩 증착이 공정 플로우 내에서 다수의 위치에서 발생할 수 있다. 어떤 경우에, 클래층으로부터의 내장된 스트레스는 채널에서 핀과 클래딩층 둘 다를 압축하는 소스/드레인 스트레서로 증진될 수 있다. 어떤 경우에, 선택적인 캡핑층이 게이트 유전체/실리콘 계면을 개선하기 위해 제공될 수 있다. 한 그러한 실시예에서, 실리콘이 게이트 유전체/반도체 계면을 개선하기 위해 SiGe 클래딩층 위에 제공된다. |
