| 发明名称 |
FORMATION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT ISOLATION REGION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03173429(A) |
申请公布日期 |
1991.07.26 |
| 申请号 |
JP19890313726 |
申请日期 |
1989.12.01 |
| 申请人 |
SEIKO INSTR INC |
发明人 |
AOKI KENJI;AKAMINE TADAO;SAITO NAOTO |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/316;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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