发明名称 Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same
摘要 높은 전하 이동도를 가지며 대면적 표시 장치에 대하여 균일한 전기적 특성을 얻을 수 있는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판은, 절연 기판 상에 형성되고 채널부를 가지는 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층과 중첩되게 형성된 게이트 전극과, 산화물 반도체층과 게이트 전극 사이에 개재된 게이트 절연막과, 산화물 반도체층 및 게이트 전극 상부에 형성된 보호막을 포함한다. 여기서, 게이트 절연막 및 보호막 중 적어도 하나는 산질화막으로 이루어지고, 산질화막은 산화물 반도체층과 인접할수록 산소의 농도가 질소의 농도보다 높을 수 있다.
申请公布号 KR101681483(B1) 申请公布日期 2016.12.02
申请号 KR20080090443 申请日期 2008.09.12
申请人 삼성디스플레이 주식회사 发明人 이제훈;김기원;김도현;이우근;윤갑수
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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