发明名称 MESA BURIED TYPE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF
摘要 Dispositif à semi-conducteurs optique et son procédé de fabrication, plus particulièrement, dispositif à semi-conducteurs optique présentant une structure mésa, telle qu'un laser à semi-conducteurs, un modulateur optique, un filtre optique et un élément récepteur de lumière, et son procédé de fabrication. Un objet de l'invention est de produire un dispositif à semi-conducteurs optique du type à enfouissement mésa dont la structure peut supprimer l'exposition d'une surface (111)B provoquant une croissance anormale lors de l'enfouissement des deux côtés d'une structure mésa. Le dispositif à semi-conducteurs optique du type à enfouissement mésa est caractérisé en ce qu'il comporte une structure multicouche à semi-conducteurs (20) du type mésa dans laquelle une seconde surface (11B) est positionnée sur une première surface (11A) disposée sur un substrat à semi-conducteurs (11) dans le sens transversal d'une paroi latérale de la multicouche à semi-conducteurs (20), ainsi qu'une couche enfouie (16) disposée de manière à enfouir la première surface, la seconde surface et la paroi latérale des couches à semi-conducteurs multicouches (20).
申请公布号 WO9113480(A1) 申请公布日期 1991.09.05
申请号 WO1991JP00255 申请日期 1991.02.26
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 OKAZAKI, NIROU
分类号 H01S5/00;H01S5/22;H01S5/227 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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