| 主权项 |
1.一种放电加工装置之波形控制装置,其特征为,包括:一并连于第1组直流电源之,包含交换(Switching)元件与二极体(Diode)之第1组串联体;-并联于前述第1组直流电源之,包含第2组直流电源与交换元件暨二极体之第2组串联体;-电抗器,系设于,包含电极及被加工物,连接前述第1组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点,暨前述第2组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点之电路中者;-第3个交换元件,系设于,连接前述第2组直流电源与二极体之间的连接点,暨前述第1组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点之电路中者;-第3个二极体,系设于,连接前述第1组直流电源与前述第2组直流电源之间的连接点,暨前电抗器(Reactor)与前述电极或被加工物之间的连接点之电路中者;之放电加工装置之波形控制装置。2.如申请专利范围第1项所记载之放电加工装置之波形控制装置,其特征为,前述第1组串联体系包含复数组串联体,且包含与该串联体同数之前述电抗器及第3个交换元件者。3.一种放电加工装置之波形控制装置,系包括:一并连于第1组直流电源之,各包含交换元件与二极体之第1组串联体及第2组串联体;-电抗器,系设于,包含电极及被加工物,连按第1组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点,暨前述第2组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点之电路中者;-第2组直流电源及一第3个二极体,系以串联设于,连接前述第1组直流电源与前述第2组串联体之间的连接点,暨前述电抗器与前述电极或被加工物之间的连接点之电路中者;-第3个交换元件及第4个二极体,系以串联设于,连接前述第2组直流电源与第3个二种体之间的连按点,暨前述第1组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点之电路中者;之故电加工装置之波形控制装置。4.如申请专利范围3项所记载之放电加工装置之波形控制装置,其特征为,前述第1组串联体系包含复数组串联体,且包含与该串联体同数之前述电抗器,第3个交换元件及第4个二极体者。5.一种放电加工装置之波形控制装置,其特征为,包括:一并连于第1组直流电源之,包含交换元件与二极体之第1组串联体;-并连于前述第1组直流电源之,包含第2组直流电源与交换元件暨二极体之第2组串联体;-并联于前述第1组直流电源之,包含交换元件与二极体之第3组串联体;-第5个二极体,系设于,包含电极及被加工物,连接前述第3组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点,暨前述第2组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点之电路中者;-电抗器,系连按于前述第1组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点,暨前述第3组串联体之前述交换元件与二极体之间的连接点之间者;之放电加工装置之波形控制装置。6.如申请专利范围第5项所记载之放电加工装置之波形控制装置,其特征为,前述第1组串联体及第3组串联体系各别包含同一复数组串联体,且包含与该复数组串联体同数之前述电抗器及第5个二极体者。7.如申请专利范园第1项或第3项或者第5项所记载之放电加工装置之波形控制装置,其特征为,使前述电抗器为可变容量型,而将其电感(Inductanc)値配合放电电流尖峰(Peak)値施行变更控制者。8.如申请专利范围第2项或第4项或者第6项所记载之放电加工装置之波形控制装置,其特征为,前述复数个电抗器系拥有同一电感値,而令其接每1电路循环(Cycle) 动作 |
