发明名称 基板温度控制机构
摘要 本发明乃有关将焊溅(spatlering)装置、CVD装置、蚀刻装置等真空处理装置之处理对象之基板,加以加热或冷却之基板温度控制机构者。本发明之目的乃在提供可消除加热源之热量损失之基板温度控制机构,及可将加热源之热容量加以缩小,以及对基板所需之处理可以高速、高效率来进行之基板温度控制机构者。本发明之特征乃在备有:被设置在封塞真空容器开口部之凸缘盘体内侧面之基板支持部;及经过前述凸缘盘体被导至基板支持部,而喷射于基板背面之气体之导入机构;及与前述支持部相对向被安装于凸缘盘体之加热用之灯加热器;及在前述凸缘盘体内与前述灯加热器之设置区域相对向被设置之冷却媒体之循环路等者。
申请公布号 TW172863 申请公布日期 1991.11.11
申请号 TW080102483 申请日期 1991.04.01
申请人 亚尼尔巴股份有限公司 发明人 中川敏之;秋元隆;高桥信行
分类号 H05K7/20 主分类号 H05K7/20
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种基板温度控制机构,其特征为备有:设置于封塞真空容器开口部之凸缘盘体内侧面之基板之支持部;及经过前述凸缘盘体被导入基板之支持部,而被喷射于基板背面之气体之导入机构;及与前述支持部相对同被安装在凸缘盘体之加热用之灯加热器;及在前述凸缘盘体内被设置成与前述灯加热器之设置区域相对向之冷却媒体之循环路等者。2﹒如申请专利范围第l项所述之基板温度控制机构中;基板之支持部乃由与灯加热器相对向设置之间隔板,及与基板相对向之支持板体等所构成;气体之导入机构则开口于间隔板与支持板体间之微小间隙者。3﹒如申请专利范围第2项所述之基板温度控制机构中;支持板体乃形成有与基板相对向之小孔,而被导入间隔板与支持板体之间之微小间隙之气体,则经过前述小孔被喷射于基板者。4﹒如申请专利范围第2项所述之基板温度控制机构中;间隔板乃在与凸缘盘体相顶接之而,夹设有热绝缘间隔物者。5﹒如申请专利范围第4项所述之基板温度控制机构中;其热绝缘间隔物乃利用设于凸缘盘体周缘部之环状突条者。6﹒如申请专利范围第2项所述之基板温度控制机构中;间隔板与支持板体间之微小间隙乃为由气密封闭手段形成密闭型空间者。7﹒如申请专利范围第2项所述之基板温度控制机构中;支持板体乃在与基板相对向之面之缘部,形成有为在基板与支持板体间保持微小间隙之环状突条者。8﹒如申请专利范围第6项所述之基板温度控制机构中;气密封闭手段乃为焊接,而间隔板与支持板体之周缘部及间隔板与气体导入机构之连结部乃以焊接所结合者。9﹒如申请专利范围第2项所述之基板温度控制机构中;间隔板乃在灯加热器相对向之而施有为有效吸收灯加热器之辐射热之处理者。10﹒如申请专利范围第9项所述之基板温度控制机构中;为有效吸收种射热所作处理,乃为氧化铬膜、陶瓷膜或其他黑色之被膜处理者。11﹒如申请专利范围第10项所述之基板温度控制机构中;陶瓷膜乃为TiO2,与AlO2之混合膜者。图示简单说明:第1图乃为本发明之第1实施例之断面图,第2图1则为本发明之第2实施例之断面图,第3图乃表示实施例中基板与支持板体间之空隙距离与压力之关系之图,第4图乃为将基板加热至约340℃时之基板之昇温特性曲线图,第5图乃为将基板加热至约400℃时之基板之昇温特性曲线图,第6图则为将基板加热至约480℃时之基板之昇温特性曲线图,第7图及第8图乃为以往之基板温度控制机构之断面图。
地址 日本