| 发明名称 | 用背面曝光和非镜面反射层光刻形成自对准掩模的方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻制造掩模方法包括下列步骤：在透明衬底主表面上形成岛状结构；在该表面和整个岛状结构上淀积至少一透明材料层；在整个至少一透明层上淀积光致抗蚀材料层；将该表面对面的衬底表面背面在紫外光中曝光，将至少一部分紫外光反射回光致抗蚀层中；在紫外曝光之前在光致抗蚀层上淀积非镜面层，然后除去经曝光的光致抗蚀部分，以形成与岛状结构对准且其各边比岛状结构窄一预选重叠距离的掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN1056187A | 申请公布日期 | 1991.11.13 |
| 申请号 | CN91102566.9 | 申请日期 | 1991.04.17 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | 乔治·爱德华·波辛;西格弗里德·阿夫特格特 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/308;H01L21/31;H01L21/336;H01L21/28;G03F7/16 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;马铁良 |
| 主权项 | 1、一种制造掩模的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤： (a)在透明衬底的主表面上形成不透明材料的岛状结构； (b)在主衬底表面和整个岛状结构上淀积一层透明材料； (c)在至少一材料层上淀积预选厚度的光致抗蚀材料层； (d)将主衬底表面对面的背面衬底表面在预定强度的紫外(UV)光中曝光，历时预定的持续时间，以便将光致抗蚀剂基本上对应于岛状结构阴影外的部位的部分曝光； (e)将至少一部分紫外(UV)光反射回光致抗蚀层上，使光致抗蚀层距岛状结构阴影一预选重叠距离内的另一部分曝光。 (f)有选择地进行显影，除去经曝光的光致抗蚀部分，从而形成岛状结构对准且各边比岛状结构窄一个预选重叠距离的掩模。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||