发明名称 PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI CONDENSATORI PER CELLE DI MEMORIA DEL TIPO DRAM
摘要
申请公布号 IT9048192(A1) 申请公布日期 1991.12.22
申请号 IT19900048192 申请日期 1990.07.31
申请人 SAMSUNG-ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 AHN YOUNG-CHUL;CHOI JIN-SUK;SON KYOUNG-HA
分类号 H01L27/04;H01L;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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