| 主权项 |
1.一种利用带电粒子束照射物体的方法,系将一带电粒子束系统中的来源所放射的带电粒子束,利用其位置沿着光轴的第一及第二偏向元件,在两个相互垂直扫描方向中予以偏向,并按光轴之横向方式延伸,此种方法之特点为首先将此种带电粒子束利用第一偏向元件在扫描方向之一个方向中作定期偏向,而后,利用一减速元件将它减速。2.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中将带电粒子束由第一偏向元件以1与10兆赫之间的频率施以偏向的。3.根据申请专利范围第2项所述之方法,其中第一偏向元件由将一正弦波电压加于其上的静电偏向元件组成。4.根据申请专利范围第1,2或3项所述之方法,其中将带电粒子束减速至小于1KeV的能量。5.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中将物体绕着一旋转轴旋转,此旋转轴具有与光轴共用之至少一点,第二偏向元件所接收之定期电压,就一半周期言,作为时间之函数时,大致等于单独包含奇数指数的至少第三次多项式。6.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中物体系运用半导体基质,带电粒子束则为一离子束。7.根据申请专利范围第6项所述之方法,其中同时与半导体基质之照射将一层半导体材料沈积于基质上。8.一种带电粒子束系统,包括用以放射带电粒子束的来源,以及第一和第之偏向元件的位置均系况着光轴并系用以将目标表面上的带电粒子束在两个相互垂直的扫描方向中偏向,此种系统之特点为带电粒子束系所包含之减速元件,其位置沿着光轴,第一备向元件的位置则在来源与减速元件之间。9.根据申请专利范围第8项之带电粒子束系统,其中第一偏向元件之偏向频率等于自1至10兆赫。10.根据申请专利范围第8或9项所述之带电粒予束系统,其中减速元件系将粒子束能量减低至小于1 KeV。11.根据申请专利范围第8项之带电粒子束系统,其中在第一偏向元件与减速元件之间加有一集焦元件,用以将带电粒子束集焦在第一集焦方向中,减速元件在第二集焦方向中所具有之集焦效应乃系与第一集焦方向相垂直而延伸的。12.根据申请专利范围第11项所述之带电粒子束系统,其中集焦元件由一种多极磁铁透镜组成。13.根据申请专利范围第8项所述之带电粒子束系统,其中减速元件在两个相互垂直集焦方向中所具有集焦效应均系与光轴垂直而延伸的。14.根据申请专利范围第13项所述之带电粒子束系统,其中减速元件包括至少两根导体,每根导电均设有一个弯曲表面及一条裂缝。15.根据申请专利范围第8项所述之带电粒子束系统,其中减速元件包括至少三个相互绝缘导体,其连续位置均系沿着光轴并各设有一条裂缝,并系将其位置最远离来源的导体予以再分成两个相互绝缘部分,此两绝缘部分位于光轴之任一侧边并系充作为第二偏向元件。16.根据申请专利范围第8项所述之带电粒子束系统,其中应将第二偏向元件连接至一电压源,用以在一半周期内,供应及时作定期改变并表现及时变化的电压,此项电压近似单独含有奇数指数的至少第三次多项式。17.根据申请专利范围第8项所述之带电粒子束系统,其中将目标表面绕着一旋转轴旋转,此旋转轴具有至少一点与 |
