| 主权项 |
1.一种具有改良之无打底剂之黏合性质之单组份室温可硫化之聚矽氧烷组成物,包括,以重量计:(A)100份的具有自100至1,000,000厘泊黏度(在25℃)之聚二有机矽氧烷,其中,在每一聚合物链上之Si原子,以至少2个烷氧基原子团为终端;(B)自0.01至2份的具有下列通式之二有机锡双-二酮酸盐缩合催化剂:其中,R6系选自:C(1-18)单价烃类原子团及取代之单价烃类原子团,而R7,R8和R9是相同或不同之一价原子团且系由H,R6,OR6,-Si(R6)3,-OSi(R6)3,芳基,醯基,和 所组成之该类中所选出;(C)自0.1至3份的具有下式之氰基官能之聚烷氧基矽烷:其中,每一个R3与R4各自是具有自1至18个碳原子之一个单价之烃类或经取代之烃类原子团,"a"是范围自0至2之一个数目,而Z是一个饱和,不饱和,或芳族氰基官能化之烃类原子团;及(D)自0.1至2.0份的具有下式之异氰酸基官能之烷氧基矽烷:其中G系选自R10原子团,下式之原子团:苯乙烯基,乙烯基,烯丙基,氯烯丙基,和环己烯基原子团,其中R10是C1-8单价烃类原子团或氰烷基原子团,R11是C1-8单价烃类原子团或氰烷基原子团,R12是C2-12二价之烃类原子团且系选自次烷基次芳基,次烷基,和环次烷基与经卤化之次烷基次芳基,次烷基和环次烷基以及其中之b自0变更至3;(E)自大约1至大约50份的一种聚矽氧烷塑化之流体,包括以重量计:(i)自5至60莫耳%的具有下式之一烷基矽氧基单位:R13SiO3/2或下式之矽氧基单位:SiO4/2;或此等单位之混合物;(ii)自1至6莫耳%的具有下式之三烷基矽氧基单位:(R13)3SiO1/2;(iii)自34至94莫耳%的具有下式之二烷基矽氧基单位:(R13)2SiO2/2;其中,R13是含有自1至13个C原子之取代之或未经取代之烃类原子团,含有以重量计,自0.1至2%之经Si连合之OH基团的聚矽氧烷;(F)0至40份的填料;(G)自0至5份的具有下列通式的-二酮:其中R7,R8和R9均系如先前所界定者;及(H)0至10份之聚烷氧基矽烷交联剂。2.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,聚二有机矽氧烷具有下列通式:其中,每个R与R2各自是一个取代,或未经取代之C(1-15)单价烃类原子团,R1是选自下列各原子团之C(1-8)脂族有机原子团:烷基原子团,烷基醚原子团,烷基酯原子团,烷基酮原子团,烷基氰基原子团,或C(7-13)芳烷基原子团,n是一个整数,其范围自50至2500,而b是一个整数,它是零或1。3.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,R13是甲基。4.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,缩合催化剂是二(正-丁基)锡双(乙醯基丙酮酸盐)。5.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,氰基官能之聚烷氧基矽烷是-氰乙基三甲氧基矽烷。6.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,异氰酸基官能之聚烷氧基矽烷是1,3,5-三个三甲氧基甲矽烷基丙基异氰酸酯或双-1,3-三甲氧基甲矽烷基丙基异氰 酸酯。7.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,聚烷氧基矽烷交联剂是甲基三甲氧基矽烷。8.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,填料是一种加固之填料。9.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,-二酮类系以范围自0.2至0.8份之数量而存在。10.如申请专利范围第1项之室温下可硫化之组成物,其中,氰基官能之聚烷氧基矽烷系以重量计,范围自0.3至1份之数量存在,而异氰酸基官能之聚烷氧基矽烷则以重量计,范围自0.2至1份之数量而存在。11.一种具有改良之无打底剂之黏合性质之存储稳定,单组份室温可硫化之聚矽氧烷组成物,以重量计包括:(A)100份的具有下式之聚二有机矽氧烷:其中,每个R与R2是一个甲基原子团;n是范围自50至2500之一个整数,而b是一个整数,它是零或1;(B)自0.2至0.4份之二(正-丁基)锡双(乙醯基丙酮酸盐);(C)自0.3至0.7份之-氰乙基三甲氧基矽烷;(D)自0.3至0.7份之1,3,5-三个三甲氧基甲矽烷基丙基异氰酸酯;(E)自10至30份之包括以重量计下列(i)至(iii)项之一种聚矽氧烷塑化之流体:(i)自5至60莫耳%之具有下式之单烷基矽氧基单位:R13SiO3/2或下式之矽氧基单位:SiO4/2;或此等单位之混合物;(ii)自1至6莫耳%的具有下式之三烷基矽氧基单位:(R13)3SiO1/2;(iii)自34至94莫耳%之具有下式之二烷基矽氧基单位:(R13)2SiO2/2;其中,R13是一个甲基基团,聚矽氧烷含有以重量计自0.1至2%的经Si连合之OH基团;(F)自5至40份之 制矽石填料;(G)自0.3至0.5份之2,4-己二酮;及(H)自0.5至1.0份之甲基、三甲氧基 |
