| 发明名称 |
METHOD FOR CARRYING OUT VAPOR PHASE EPITAXY OF GAASP MIXED CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0421599(A) |
申请公布日期 |
1992.01.24 |
| 申请号 |
JP19900124818 |
申请日期 |
1990.05.15 |
| 申请人 |
NIPPON MINING CO LTD |
发明人 |
UBUSAWA MASAKATSU;KATAGIRI KEIJI |
| 分类号 |
C30B25/16;C30B29/40;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/16 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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