| 主权项 |
1.一种真空薄膜成形装置包含:一个包含第一真空容器和第二真空容器的真空反应器;第一和第二抽真空装置,该第一抽真空装置与前述第一真空容器相通,而该第二抽真空装置则与前述第二真空容器相通;一基板加热器安置在该第一真空容器中;气体供应装置安置在该第二真空容器中;以及一个用来装基板用之基座,该基板上薄膜要沈积之表面朝向该第二真空容器中,该基板座则被安置在一特定位置上,在该处第一真空容器和第二真空容器将以安插其间的基板座和基板一起相互将彼此隔离开来。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该基板座含有一零件,用来当作第一真空容器和第二真空容器中盛有该基板时,气密隔离丙容器之气密隔离零件使用,该零件被安置在该真空容器之内壁上,并可被垂直移动。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该基板座是由与要沈积在该基板上之薄膜的材质相同的材料所构成。4.如申请专利范围第1项中所述之装置,其中尚包含制动装置,用以移动该基板座,使该基板能以另一基板替换之,该制动装置被安置在前述真空容器外之位置,暴露于周遭大气环境中。5.如申请专利范围第1项中所述之装置,其中提及之基板加热器包含一电子加热器。6.如申请专利范围第1项中所述之装置,其中该气体供应装置包含一喷嘴,经由该喷嘴可将气体喷向前述之基板。7.如申请专利范围第1项中所述之装置,其中为每一第一真空容器和第二真空容器安置之制动装置包含有一涡轮分子邦浦。8.如申请专利范围第1项中所述之装置,其中为该第一真空容器安置的抽真空装置之抽气容量被设定为小于为第二真空容器安置的抽真空装置之抽气容量。9.如申请专利范围第1项中所述之装置,其中要沈积于该 |
