发明名称 SPECIAL GEOMETRY SCHOTTKY DIODE
摘要 A Schottky barrier diode comprises a Schottky contact layer having an increased periphery to area ratio. In the illustrated embodiment, the Schottky contact layer comprises a plurality of individual contact regions interconnected by an overlying metallization layer.
申请公布号 CA2023737(A1) 申请公布日期 1992.02.22
申请号 CA19902023737 申请日期 1990.08.21
申请人 SOLID STATE DEVICES, INC. 发明人 BARTUR, MEIR
分类号 H01L29/86;(IPC1-7):H01L29/86 主分类号 H01L29/86
代理机构 代理人
主权项
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