| 主权项 |
1.一种聚芳醚酮片材,其具625至5000微米之厚度,其中该聚芳醚酮具有少于5%之结晶度,且实质上由选自下式I,II及III所示之重复单元组成:式中Ph为1,4一伸苯基或1,3一伸苯基,且其中1,4一伸苯基对1,3一伸苯基异构物之比例为70:30至0:100,至多以60:40为佳。2.如申请专利范围第1项之片材,其中聚芳醚酮为具有式I所示重复单元之聚醚酮酮。3.如申请专利范围第2项之片材,其中1,4一伸苯基对1,3一伸苯基异构物之上比为60:40至50:50,且片村厚度为625一2000微米。4.如申请专利范围第1项之片材,其含有高达片材组合物之50重量百分率之量之非核化填料。5.如申请专利范围第4项之片材,其中高达5%之片材组合物为无机纤维填料。6.一种制造聚芳醚酮片材之方法,此片材具有625一5000微米之厚度,其中聚芳醚酮具有少于5%结晶度且实质上由选自下式I,II及III所示之重复单元所组成:式中Ph为1,4一伸苯基或1,3一伸苯基,且其中1,4一伸苯基对1,3一伸苯基异构物之比例为70:30至0:100,至多以60:40为佳,该方法包括步骤:(a)加热聚芳醚酮至高于其熔点之适合加工温度,(b)将熔融聚合物形成片材,(c)以使熔体加工塭度与显着结晶产生之最低温度间之骤冷时间至多等于最短半结晶期(crystallization half-time)乘以10/最大结晶度之速率骤冷,其中最短半结晶期系定义为共聚醚酮样品达结晶放热最大値(由差示扫描量热计所得)所需之最短时间,而最大结晶度是藉X一射线结晶学测量既定聚芳醚粡所得。7.如申请专利范围第6项之方法,其中聚芳醚酮为具有式I之重复单元之聚醚酮酮。8.如申请专利范围第7项之方法,其中1,4一伸笨基对1,3一伸苯基异构物之比为60:40至50:50,且片材厚度为525一2000微米。9.如申请专利范围第7项之方法,其中片材之制造温度比聚芳醚酮熔点高10一15℃,且制成之片材系在一或多个维持在110℃至恰高于聚芳醚酮玻璃化温度之温度范围内之辊上骤冷。10.一种非晶性之三度空间板条,其由如申请专利范围第6至9项中任一项方法所制之聚芳醚酮所制成。11.一种非晶性导管,其系由如申请专利范围第6至9项中任一项方法所制之聚芳醚酮所制成。12.一种非晶性之三度空间板条,其为具625 至5000微米壁厚之由聚芳醚片材热成形者,其中聚芳醚酮有小于5%之结晶度且实质上由选自下式I,II及III所示之重复单元组成:式中Ph为1,4一伸苯基或1,3一伸苯基;以式I所示者为佳,其中1,4一伸苯基对1,3一伸苯基异构物之比为60:40 至50:50;且条板之壁厚以625一2000微米为佳。13.一种非晶性导管,其为具625至5000微米壁厚之由聚芳醚片材热成形者,其中聚芳醚酮为如申请专利范围第12项 |
