| 主权项 |
1.一种由有机二 ,二官能矽氧烷单体及有机胺所得之实质上完全醯亚胺化聚醯亚胺矽氧烷,其特征为所用之有机胺为式中X系氢、卤素、苯基或其混合物,Z系Ar'系C6-10芳基,及n=1或0,若n=0,x是卤素,其中有机二 为:氧二(ODPA)、4,4'氧二 、硫二 (SDPA)、 二、4,4'硫二 、4,4'-二 、苯醯苯四羧酸二 (BTDA)、联苯四羧酸二 (BPDA)、双(二羧苯)六氟丙烯二(6FDA)、二醚二 、含下式之苯四甲二含下式之苯二或此种二 的混合物其中二官能基矽氧烷单体为含下式之矽氧烷二式中R系被取代或未被取代之C1-12脂族三官能基,或被取代或未被取代之C6-10芳族三官能基,一个或多个R1,R2,R3及R4可为卤素、氢、乙烯基,羟基,具丙烯酸基-,乙烯-,或乙炔基之基,其余的R1,R2,R3及R4各自独立,系被取代或未被取代之C1-12单官能基,被取代或未被取代之C6-10芳族单官能基,m为约5至50,或含下式之矽氧烷二胺式中R'各自独立,系被取代或未被取代之C1-12脂族二官能基,或被取代或未被取代之C6-10芳族官能基,其中一个或多个R1,R2,R3及R4可为乙烯基,羟基,具丙烯酸基-,乙烯基-或乙炔基-之基,其余的R1,R2,R3及R4各自独立,系被取代或未被取代之脂族C1-12单官能基,或被取代或未被取代之C6-10芳族单官能基,m为约5至200。2.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其中有机胺为:式中X系氢、卤素、苯基或其混合物,Z系n=0或1,若n=0,x是卤素。3.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其中有机胺为:4.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其中有机二为5.依申请专利范围第4项之聚醯亚胺矽氧烷,其中亦采用可在聚醯亚胺矽氧烷聚合物链上提供不对称结构之有机二胺。6.依申请专利范围第5项之聚醯亚胺矽氧烷,其中有机二胺为:式X,Y中及Z各自独立,选自氢,卤素,烷基或C6-10芳基或卤芳基,但所有的X,Y及Z不均为氢。7.依申请专利范围第6项之聚醯亚胺矽氧烷,其中X,Y中及Z各自独立,选自氢,卤素,C1-12烷基,或C6-12芳基,但X,Y及Z不均为氢。8.依申请专利范围第7项之聚醯亚胺矽氧烷,其中有机二胺为2,4-申苯二胺,2,6-申苯二胺或其混合物。9.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其中至少有一部分的有机二胺为式中Ar系芳基,R"系至少一个羟基,羧基或巯基。10.依申请专利范围第9项之聚醯亚胺矽氧烷,其中R"系羧基或该羧基之金属盐。11.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其中至少有一部分的有机二胺成分为:式中Ar系芳基,R"系至少一个具丙烯酸基,乙烯基或乙炔基之基。12.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其中矽氧烷二胺为式中R'各自独立,系被取代或未被取代之C1-12脂族二官能基,或被取代或未被取代之C6-10芳族官能基,一个或多个R1,R2,R3及R4可为乙烯基,羟基,具丙烯酸基-,乙烯-或乙炔基-之基,其余的R1,R2,R3及R4各自独立,系被取代或未被取代之脂族C1-12单官能基,或被取代或未被取代之C6-10芳族单官能基,m为约5至200。13.依申请专利范围第12项之聚醯亚胺矽氧烷,其中R1,R2,R3及R4系甲基。14.依申请专利范围第13项之聚醯亚胺矽氧烷,其中R'(-CH2-)3。15.依申请专利范围第14项之聚醯亚胺矽氧烷,其中至少有一部分矽氧烷二胺包含式中至少有一个R1,R2,R3及R4选自羟基或乙烯基之二胺。16.依申请专利范围第15项之聚醯亚胺矽氧烷,其中至少有一个R1,R2,R3及R4系乙烯基,其余为甲基。17.依申请专利范围第16项之聚醯亚胺矽氧烷,其中R'(-CH2-)3。18.依申请专利范围第12项之聚醯亚胺矽氧烷,其中至少有一部分的矽氧烷二胺包含式中至少有一个R1,R2,R3及R4选自具丙烯酸基,乙烯基-或乙炔基之基之矽氧烷二胺。19.依申请专利范围第18项之聚醯亚胺矽氧烷,其中包含具丙烯酸基之基。20.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其中矽氧烷二 为:式中R系被取代或未被取代之C1-12脂族三官能基,或被取代或未被取代之C6-10芳族三官能基,其中一个或多个R1,R2,R3及R4系卤素、氢、乙烯基,羟基,具丙烯酸基-,乙烯基-,或乙炔基-之基,其余的R1,R2,R3及R4各自独立,选自被取代或未被取代之C1-12脂族单官能基,被取代或未被取代之C6-10芳族单官能基,m为约5至50。21.依申请专利范围第20项之聚醯亚胺矽氧烷,其中R1,R2,R3及R4系甲基。22.依申请专利范围第21项之聚醯亚胺矽氧烷,其中R系23.依申请专利范围第20项之聚醯亚胺矽氧烷,其中至少有一部分矽氧烷二 包含式中至少有一个R1,R2,R3及R4选自氢,卤,羟基或乙烯基之二 。24.依申请专利范围第23项之聚醯亚胺矽氧烷,其中至少有一个R1,R2,R3及R4系乙烯基,其余为甲基。25.依申请专利范围第24项之聚醯亚胺矽氧烷,其中R系26.依申请专利范围第20项之聚醯亚胺矽氧烷,其中至少有一部分的矽氧烷二成分为式中至少有一个R1,R2,R3及R4系丙烯酸基,乙烯基或乙炔基之矽氧烷二。27.依申请专利范围第26项之聚醯亚胺矽氧烷,其中包含具丙烯酸基之基。28.一种制造可溶于二甘醇二甲醚之聚醯亚胺矽氧烷之方法,包含使二官能矽氧烷单体,其中矽氧为下式:式中R'各自独立,选自被取代或未被取代之C1-12脂族二官能基,或被取代或未被取代之C6-10芳族二官能基,一个或多个R1,R2,R3及R4系乙烯基,羟基,具丙烯酸基-,乙烯基-或乙炔基-之基,其余的R1,R2,R3及R4各自独立,系被取代或未被取代之脂族C1-12脂族单官能基或被取代或未被取代之C6-10芳族单官能基,m系约5至约50之整数;有机二 为下式其中Ar为芳香族及有机胺为式中X系氢、卤素、苯基或其混合物,Z系Ar'系C6-C10芳基,及n=1或0,若n=0,x是卤素。29.依申请专利范围第28项之制法,系在聚醯亚胺矽氧烷之溶剂中反应。30.依申请专利范围第28项之制法,其中胺为:溶剂选自二甘醇二甲醚,三甘醇二甲醚,-丁丙酯,N,N-二甲基乙醯胺,1-甲基-2- 咯烷酮,四氢 喃,甲乙酮,酚或其混合物。31.依申请专利范围第28项之制法,其中R1,R2,R3及R4系甲基。32.依申请专利范围第28项之制法,其中R'系(CH)3。33.依申请专利范围第28项之制法,其中矽氧烷单体系矽氧烷二 。34.依申请专利范围第33项之制法,其中矽氧烷单体为为下式之矽氧烷二 :式中R系被取代或未被取代之C1-12脂族三官能基,或被取代或未被取代之C6-10芳族三官能基,一个或多个R1,R2,R3及R4可为卤素、氢、乙烯基,羟基,具丙烯酸基-,乙烯基-,或乙炔基-乙基,其余的R1,R2,R3及R4各自独立,系被取代或未被取代之C1-12单官能基,被取代或未被取代之C6-10芳族单官能基,m为约5至50。35.依申请专利范围第34项之制法,其中R1,R2,R3及R4系甲基。36.依申请专利范围第35项之制法,其中R系37.依申请专利范围第28项之制法,其中至少有一部分有机二胺为式中Ar系芳基,R"系至少一种羟基,羧基或巯基。38.依申请专利范围第37项之制法,其中R"系羧基。39.依申请专利范围第28项之制法,其中至少有一部分矽氧烷二胺包含式中至少有一个R1,R2,R3及R4系甲基或乙烯基之二胺。40.依申请专利范围第39项之制法,其中至少有一个R1,R2,R3及R4系乙烯基,其余为甲基。41.依申请专利范围第40项之制法,其中R'系(CH)3。42.依申请专利范围第34项之制法,其中至少有一部分的矽氧烷二 包含式中至少有一个R1,R2,R3及R4系氢,卤素,羟基或乙烯基之二 。43.依申请专利范围第42项之制法,其中至少有一个R1,R2,R3及R4系乙烯基,其余为甲基。44.依申请专利范围第43项之制法,其中R系45.依申请专利范围第37项之制法,其中使制程之产物和具有至少一个丙烯酸基-,乙烯基-或乙炔基-之基之化合物反应。46.依申请专利范围第39项之制法,其中使制程之产物和具有至少一个丙烯酸基-,乙烯基-或乙炔基-之基之化合物反应。47.依申请专利范围第42项之制法,其中使制程之产物和具有至少一个丙烯酸基-,乙烯基-或乙炔基-之基之化合物反应。48.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷溶于其溶剂中之溶液。49.依申请专利范围第48项之溶液,其中溶剂选自二甘醇二甲醚,三甘醇二甲醚,-丁丙酯,N,N-二甲基乙醯胺,1-甲基-2- 咯烷酮,四氢 喃,甲乙酮,酚或氯化溶剂。50.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其为制造基材之产品。51.依申请专利范围第50项之聚醯亚胺矽氧烷,其中基材是电线或电缆。52.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其用途为制造一种薄膜。53.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其用途为制造一种纤维。54.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其用途为制造一种模塑品。55.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其用途为制造一种挤压品。56.依申请专利范围第1项之聚醯亚胺矽氧烷,其用途为制造一种固化组成物。57.依申请专利范围第18项之聚醯亚胺矽氧烷,其用途为制造一种固化组成物。58.依申请专利范围第26项之聚醯亚胺矽氧烷,其用途为 |
