| 摘要 |
本发明系利用一未具通行或分裂闸极之浮闸电晶体以构成一可电气式擦拭及规划之唯读记忆体或一EERPOM。浮闸电晶体可具有一自调式小隧道窗口(19)其依未接触式记忆元布局方式而设于来自通道及汲极(16)之源极(15)之相对侧边上，以加强制造之简易性并降低记忆元尺寸。在此记忆元中，位元线(13)及源／汲极区(15，16)系埋设于相当厚之氧化矽层(14)下侧且控制闸(12)延伸过厚氧化矽层(14)及场氧化隔离区(22)，其容许控制闸电压较有利地连至浮闸(17)处。另藉隧道窗口区(19)提供规划及擦拭作业。隧道窗口(20)具有一较浮闸剩余部分为薄之电介质以容许Fowler-Nordheim隧穿效应。 |
